Vishay大幅擴充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導通電阻低至30mΩ、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度

21ic訊  日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，針對可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標。

今天推出的器件使E系列的器件總數(shù)達到26個。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現(xiàn)極低的傳導和開關(guān)損耗，可在功率因數(shù)校正、服務器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體制造設備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關(guān)電源中節(jié)省能源。

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設計，通過100%的UIS測試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。

器件規(guī)格表：

新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，量產(chǎn)供貨周期為十六周到十七周。