Vishay推出SiSS27DN器件擴(kuò)充Gen III P溝道功率MOSFET

時間：2013-07-15 13:30:27

關(guān)鍵字： Vishay GEN 器件功率MOSFET

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[導(dǎo)讀]首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和

首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

功率MOSFET" />

SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān)，以及移動計算、智能手機(jī)和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，使設(shè)計者能夠在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。

在需要更高電壓的應(yīng)用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規(guī)格表：

新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。