飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)

高壓IGBT可減少高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用中的總功率損耗和電路板面積

21ic 飛兆半導(dǎo)體——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎(jiǎng)。

這是自飛兆半導(dǎo)體將其高壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路溝道IGBT提交“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”評(píng)委會(huì)之后，第七次獲得這項(xiàng)享有聲望的獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)表彰的是在性能/成本和市場(chǎng)定位方面獲得突出成就的產(chǎn)品。

這些高壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路溝道IGBT產(chǎn)品的電壓范圍為1,100 V – 1,400 V，利用固有的反并聯(lián)二極管進(jìn)行了優(yōu)化。隨著典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進(jìn)步，飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-Trench IGBT要低12%以上。

此外，如果與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的IGBT產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。由于具有這些豐富特性，飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的IGBT因而能實(shí)現(xiàn)更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功率損耗。這些器件非常適合要求更低導(dǎo)通損耗和出色開(kāi)關(guān)性能的高功率和高頻率感應(yīng)加熱型(IH)家用電器，可實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。

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飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止陽(yáng)極短路溝道IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，可應(yīng)對(duì)當(dāng)今設(shè)計(jì)中遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些應(yīng)用都是飛兆半導(dǎo)體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大限度的節(jié)能。

十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎(jiǎng)旨在表彰該領(lǐng)域中顯著進(jìn)步的技術(shù)或其應(yīng)用。該獎(jiǎng)項(xiàng)強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新和出色的性價(jià)比，范圍涵蓋所有功率產(chǎn)品。提交的產(chǎn)品以三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)加以評(píng)估： 某項(xiàng)技術(shù)或其應(yīng)用的顯著進(jìn)步、創(chuàng)新設(shè)計(jì)和性價(jià)比的大幅提升。此外，還有五個(gè)獨(dú)立獎(jiǎng)項(xiàng)： 技術(shù)突破獎(jiǎng)、最佳應(yīng)用獎(jiǎng)、優(yōu)化開(kāi)發(fā)獎(jiǎng)、綠色能源獎(jiǎng)以及獨(dú)立創(chuàng)新獎(jiǎng)。