飛兆半導(dǎo)體推出1200 V 溝槽型場截止IGBT 提供更快速的開關(guān)性能

高壓IGBT可降低高功率太陽能逆變器、UPS和電焊機中的總功耗、電路板尺寸和整體系統(tǒng)成本

21ic訊 飛兆半導(dǎo)體推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo)，如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設(shè)計中實現(xiàn)更好的效率和可靠性。

這種新型1200 V場截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE(SAT)，其遠低于以前的快速開關(guān)NPT IGBT，可最大程度地降低導(dǎo)通損耗。這些新器件具有1200V快速開關(guān)IGBT市場中提供的最低VCE(SAT) 額定值之一。開關(guān)損耗較低， EOFF 值在30 µJ/A以下。所有器件均包含為快速開關(guān)優(yōu)化的相同封裝的二極管。

“需要創(chuàng)新的新型功率電子技術(shù)幫助光伏逆變器生產(chǎn)商降低成本、提高效率并增強可靠性。”工業(yè)功率系統(tǒng)總監(jiān)MH Lee先生說。“我們的1200 V溝槽型場截止IGBT系列可幫助客戶提高其太陽能逆變器設(shè)計中的能效和可靠性，并幫助制造商滿足政府法規(guī)和最終客戶不斷節(jié)能的需求。”

1200 V 場截止溝道IGBT系列還允許設(shè)計人員在比競爭解決方案更高的開關(guān)頻率下操作器件，從而有助于減小電容的尺寸和成本以及電路中的電感組件。這樣可實現(xiàn)具有較高功率密度、較小尺寸和較低物料成本的系統(tǒng)設(shè)計。

此IGBT系列100%經(jīng)過在額定電流四倍的電流下箝位電感開關(guān)測試，以保證較大的安全工作區(qū)(SOA)。

這些產(chǎn)品采用具有20mm引腳長度的較小TO247封裝(與之前系列的TO264封裝相比)，并提供15、25和40 A的額定電流。

特點與優(yōu)勢：

低飽和電壓： VCE(SAT) = 1.8 V @ 額定集電極電流(Ic)

• 高速開關(guān)： • 低 EOFF = 6.6µJ/A

寬SOA(100%電感負載開關(guān)測試;ILM = 4倍Ic額定值)

易于并聯(lián)運行(正溫度系數(shù))

Tj = 175°C(最大結(jié)溫)

高輸入阻抗

符合 RoHS 標(biāo)準

飛兆半導(dǎo)體的溝槽型場截止IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，可應(yīng)對當(dāng)今設(shè)計中遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些應(yīng)用都是飛兆半導(dǎo)體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。

報價:(訂購 1,000 個,美元)

FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A: $3.30

FGH25T120SMD_F155 – 1200 V/25 A: $4.65

FGH40T120SMD_F155 – 1200 V/40 A: $6.30

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