Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q101認(rèn)證的采用ThunderFET®技術(shù)的TrenchFET®功率MOSFET。為提高效率和節(jié)省汽車應(yīng)用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻。

Vishay的ThunderFET技術(shù)可在單位晶粒面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。在更低導(dǎo)通電阻是決定因素的應(yīng)用場(chǎng)合，這項(xiàng)技術(shù)使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實(shí)現(xiàn)了8.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻;在空間是首要因素的時(shí)候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導(dǎo)通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。

今天推出的這些MOSFET的連續(xù)漏極電流達(dá)到50A，適用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元里的噴射增壓應(yīng)用和照明控制單元里用于照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器里MOSFET的優(yōu)值系數(shù))，可減少開關(guān)損耗，并提高整體系統(tǒng)效率。

SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過了100%的Rg和UIS測(cè)試，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。

器件規(guī)格表：

SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發(fā)布的通過AEC-Q101認(rèn)證的SQ Rugged系列。

新款車用MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。