Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT平臺

600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開關特性，可用于電機驅動、UPS、太陽能電池和焊接逆變器

21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)平臺。Vishay Semiconductors推出的這些器件可提高電機驅動、UPS、太陽能逆變器和焊接設備逆變器的效率，以裸片方式供貨，集電極到發(fā)射極的電壓較低，能夠快速和軟導通及關斷，從而降低傳導和開關損耗，650V的擊穿電壓提高了可靠性。

今天發(fā)布的IGBT芯片提供多種裸片尺寸，額定集電極電流從30A到240A，擊穿電壓為600V～650V，包括Trench PT和FS器件，每種器件都提供已切割或未切割的裸片。

Trench PT器件具有極低的傳導損耗，負溫度系數(shù)使器件在50%額定電流下集電極到發(fā)射極電壓低至1.07V，在滿額定電流和+125℃下為1.34V。通過采用Trench結構，IGBT的尺寸比平面工藝的器件小，具有更高的電力密度和更低的熱阻，而不會損失性能和可靠性。Trench PT IGBT適合頻率小于1kHz的低開關頻率。

在滿電流和25℃下，Vishay的Trench FS器件的集電極到發(fā)射極飽和電壓只有1.45V，可減少傳導損耗。器件同時具有快速和軟開關特性，既減小功耗，又降低導通和關斷損耗。另外，器件的軟關斷能夠降低峰值電壓，擴大功率等級，簡化電路布局。FS IGBT的工作溫度達+175℃，能實現(xiàn)更健壯的設計，在高溫(150℃)下的短路額定時間只有6μs，使器件在極重負載和失效情況下也能安全和可靠地工作。器件的飽和電壓具有較低的正溫度系數(shù)，可簡化并聯(lián)設計。

器件規(guī)格表：

這些器件適合用在電源模塊里，搭配Vishay的新型FRED Pt® Gen 4超快軟恢復二極管一起使用，可以實現(xiàn)非常低的EMI，最高工作溫度達+175℃，在單相和三相逆變器、功率因數(shù)校正(PFC)電路，以及全橋及半橋DC/DC轉換器里可以即插即用，十分可靠。

理想組合 - Trench IGBT加FRED Pt® Gen4二極管

上述IGBT和續(xù)流二極管現(xiàn)可訂購樣品，用于客戶評估和認證，將在2015年完成量產(chǎn)爬坡。大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。