內(nèi)含200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開發(fā)板可實(shí)現(xiàn)高達(dá)30MHz的效率

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的全新開發(fā)板幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師容易并且快速地

對(duì)應(yīng)用于E類放大器拓?fù)洹㈦娏髂Ｊ紻類放大器拓?fù)浼皃ush-pull 轉(zhuǎn)換器的200 V氮化鎵晶體管進(jìn)行評(píng)估，其工作效率可以高達(dá)30 MHz。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發(fā)板，可以在高達(dá)30 MHz下工作。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師利用簡易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估，使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。

這些開發(fā)板專為諸如無線充電、采用E類放大器的應(yīng)用而設(shè)，而且也可以支持采用低側(cè)開關(guān)的應(yīng)用，例如push-pull轉(zhuǎn)換器、采用電流模式的D類放大器、共源雙向開關(guān)及諸如LiDAR應(yīng)用的通用高壓短脈寬應(yīng)用。

這些開發(fā)板內(nèi)含具有200 V額定電壓的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些放大器被設(shè)計(jì)為工作在差分模式，也可以再被配置而可以工作在單端模式，而且包含柵極驅(qū)動(dòng)器及邏輯電源穩(wěn)壓器。

這三塊開發(fā)板有共同的參數(shù)選擇及規(guī)范，其工作負(fù)載條件包括配置可以決定最優(yōu)的負(fù)載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發(fā)板的各個(gè)器件參數(shù)。