EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應用于負載點(POL)轉換器、激光雷達(LiDAR)、包絡跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導通電阻為5 mΩ及脈沖輸出電流為175 A。

與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 設計師不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產品，而是二者可以同時兼得!

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術如何提升eGaN®器件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在繼續(xù)擴大?！?/p>