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[導(dǎo)讀]中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)近日宣布其兩款SCALE-iDriver™門極驅(qū)動(dòng)器IC系列器件現(xiàn)已通過(guò)汽車級(jí)AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這兩款器件分別是SID1132KQ和SID1182KQ,它們適合驅(qū)動(dòng)650 V、750 V和1200 V汽車IGBT和SiC-MOSFET模塊,并且其額定峰值電流分別為+/-2.5 A和+/-8 A。SID1182KQ能提供同類隔離型門極驅(qū)動(dòng)器中最大的輸出電流,并且能

中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)近日宣布其兩款SCALE-iDriver™門極驅(qū)動(dòng)器IC系列器件現(xiàn)已通過(guò)汽車級(jí)AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這兩款器件分別是SID1132KQ和SID1182KQ,它們適合驅(qū)動(dòng)650 V、750 V和1200 V汽車IGBT和SiC-MOSFET模塊,并且其額定峰值電流分別為+/-2.5 A和+/-8 A。SID1182KQ能提供同類隔離型門極驅(qū)動(dòng)器中最大的輸出電流,并且能夠驅(qū)動(dòng)600 A/1200 V和820 A/750 V開(kāi)關(guān)。

SCALE-iDriver系列單通道IGBT和SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC采用了Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™磁感雙向通信技術(shù),可確保在原方和副方之間實(shí)現(xiàn)加強(qiáng)絕緣,從而樹(shù)立絕緣完整性和可靠性的新標(biāo)準(zhǔn)。FluxLink技術(shù)可省去光電器件,此類器件的參數(shù)會(huì)隨時(shí)間推移發(fā)生變化和較高的溫度降額限制了其使用壽命。將磁耦合導(dǎo)體嵌入至均勻熱固性材料中,高質(zhì)量的絕緣性能極大提高了器件的工作穩(wěn)定性以及使用壽命。新器件采用Power Integrations緊湊、堅(jiān)固的eSOP封裝,可提供CTI 600級(jí)的9.5 mm爬電距離和電氣間隙,并且輕松滿足汽車級(jí)5500米海拔要求。

Power Integrations門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示:“汽車廠商要求為純電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)應(yīng)用提供安全、智能和高度集成的解決方案,包括主逆變器、制動(dòng)斬波器、DC-DC電池變換器以及AC-DC車載電池充電器設(shè)計(jì)。 SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證,使汽車設(shè)計(jì)工程師能夠提高系統(tǒng)效率,并且首次從這種超級(jí)安全和可靠的絕緣技術(shù)中獲得好處。我們的FluxLink磁耦合技術(shù)通過(guò)磁隔離進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,并且通過(guò)低壓和高壓側(cè)之間的高質(zhì)量絕緣層提供了一個(gè)0.4 mm的最小內(nèi)部隔離。SCALE-iDriver汽車級(jí)IC將驅(qū)動(dòng)器安全性和絕緣安全性提高至一個(gè)新的水平。”

SCALE-iDriver器件可將所需的外圍元件數(shù)減至最少,這有助于精簡(jiǎn)BOM并支持采用雙層PCB布板,從而減少干擾并提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。由于SCALE-iDriver IC只需要一個(gè)單極性電壓,用于副方供電電壓的汽車DC-DC電源可得到大幅簡(jiǎn)化。內(nèi)置的電壓和功率管理電路可對(duì)必需的正負(fù)門極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行調(diào)整。新IC具備完善的安全功能,包括短路關(guān)斷過(guò)程高級(jí)軟關(guān)斷(ASSD)功能以及欠壓保護(hù)功能。

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