EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率的氮化鎵功率晶體管

專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師而設(shè)的EPC2051功率晶體管是一種100 V、25 mΩ并采用超小型芯片級(jí)封裝的晶體管，可實(shí)現(xiàn)37 A脈沖輸出電流。EPC2051是多種應(yīng)用的理想器件，包括48 V功率轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)及LED照明等應(yīng)用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其占板面積只是1.1平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈沖輸出電流高達(dá)37 A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。

要求更高的效率及更高的功率密度的應(yīng)用現(xiàn)在不需要選擇小尺寸還是高性能了，因?yàn)镋PC2051可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)小尺寸及高性能! EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051雖然占板面積小，它工作在50 V–12 V降壓轉(zhuǎn)換器、500 kHz開關(guān)及4 A輸出電流時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率!此外，低成本的EPC2051與等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2051的高性能、小尺寸及低成本優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用包括面向運(yùn)算及通信系統(tǒng)、激光雷達(dá)、LED照明及D類音頻放大器等應(yīng)用的48 V輸入電壓的功率轉(zhuǎn)換器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說：「氮化鎵(eGaN)器件工作在高頻下可實(shí)現(xiàn)高效率，在性能及成本方面得以擴(kuò)大與等效硅基器件的績效差距。此外，100 V的EPC2051氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管比等效MOSFET小型化30倍!」

開發(fā)板

EPC9091開發(fā)板的器件的最大電壓為100 V、半橋式、采用EPC2051晶體管及uPI半導(dǎo)體公司的柵極驅(qū)動(dòng)器(uPI1966A)。開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米)，專為最高開關(guān)性能而設(shè)，而且包含所有重要元件，使得工程師可以易于對(duì)100 V的EPC2051 eGaN FET進(jìn)行評(píng)估。

價(jià)格及供貨

EPC2051 eGaN FET在批量為1,000片時(shí)的單價(jià)為0.67美元，如果批量是100,000片，其單價(jià)為0.37美元。EPC9091開發(fā)板的單價(jià)為118.75美元。