當(dāng)前位置:首頁(yè) > 電源 > 功率器件
[導(dǎo)讀]鋰離子電池因能量密度高,使得難以確保電池的安全性。具體而言,在過(guò)度充電狀態(tài)下,電池溫度上升后能量將過(guò)剩,于是電解液分解而產(chǎn)生氣體,因內(nèi)壓上升而導(dǎo)致有發(fā)火或破裂的危機(jī)。反之,在過(guò)度放電狀態(tài)下,電解液因分

鋰離子電池因能量密度高,使得難以確保電池的安全性。具體而言,在過(guò)度充電狀態(tài)下,電池溫度上升后能量將過(guò)剩,于是電解液分解而產(chǎn)生氣體,因內(nèi)壓上升而導(dǎo)致有發(fā)火或破裂的危機(jī)。反之,在過(guò)度放電狀態(tài)下,電解液因分解導(dǎo)致電池特性劣化及耐久性劣化(即充電次數(shù)降低)。

 鋰離子電池的保護(hù)電路就是要確保這樣的過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí)的安全性,并防止特性的劣化。鋰離子電池的保護(hù)電路是由保護(hù)IC、及兩顆Power-MOSFET所構(gòu)成。其中保護(hù)IC為監(jiān)視電池電壓;當(dāng)有過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí),則切換以外掛的Power-MOSFET來(lái)保護(hù)電池,保護(hù)IC的功能為: (1)過(guò)度充電保護(hù)、(2)過(guò)度放電保護(hù)、(3)過(guò)電流/短路保護(hù)。以下就這三項(xiàng)功能的保護(hù)動(dòng)作加以說(shuō)明

(1)   過(guò)度充電:

 當(dāng)鋰電池發(fā)生過(guò)度充電時(shí),電池內(nèi)電解質(zhì)會(huì)被分解,使得溫度上升并產(chǎn)生氣體,使得壓力上升而可能引起自燃或爆裂的危機(jī),鋰電池保護(hù)IC用意就是要防止過(guò)充電的情形發(fā)生。

 

過(guò)度充電保護(hù)IC原理:

當(dāng)外部充電器對(duì)鋰電池充電時(shí),為防止因溫度上升所導(dǎo)致的內(nèi)壓上升,需終止充電狀況,此時(shí)保護(hù)IC需檢測(cè)電池電壓,當(dāng)?shù)竭_(dá)4.25V時(shí)(假設(shè)電池過(guò)充點(diǎn)為4.25V)及激活過(guò)充電保護(hù),將Power MOS由ON'OFF,進(jìn)而截止充電。另外,過(guò)充電檢出,因噪聲所產(chǎn)生的誤動(dòng)作也是必須要注意的,以免判定為過(guò)充保護(hù),因此需要延遲時(shí)間的設(shè)定,而delay time也不能短于噪聲的時(shí)間。 
 

 


(2)   過(guò)度放電:

  在過(guò)度放電的情形下,電解液因分解而導(dǎo)致電池特性劣化,并造成充電次數(shù)的降低,鋰電池保護(hù)IC用以保護(hù)其過(guò)放電的狀況發(fā)生, 達(dá)成保護(hù)動(dòng)作。

過(guò)度放電保護(hù)IC原理:為了防止鋰電池過(guò)度放電之狀態(tài),假設(shè)鋰電池接上負(fù)載,當(dāng)鋰電池電壓低于其過(guò)放電電壓檢測(cè)點(diǎn)(假設(shè)設(shè)定為2.3V),將激活過(guò)放電保護(hù),將Power MOS由ON'OFF,進(jìn)而截止放電,達(dá)成保護(hù)以避免電池過(guò)放電現(xiàn)象發(fā)生, 并將電池保持在低靜態(tài)電流的狀態(tài)(standby mode),此時(shí)耗電為0.1uA 

 當(dāng)鋰電池接上充電器,且此時(shí)鋰電池電壓高于過(guò)放電電壓時(shí),過(guò)放電保護(hù)功能方可解除。 
 

 

另外,為了對(duì)于脈沖放電之情形,過(guò)放偵測(cè)設(shè)有延遲時(shí)間用以預(yù)防此種誤動(dòng)作的發(fā)生。

(3)   過(guò)電流及短路電流

 因?yàn)椴幻髟?放電時(shí)或正負(fù)極遭金屬物誤觸)造成過(guò)電流或短路電流發(fā)生,為確保安全,使其停止放電。
電流保護(hù)IC原理:

當(dāng)放電電流過(guò)大或短路情況發(fā)生時(shí),保護(hù)IC將激活過(guò)(短路)電流保護(hù),此時(shí)過(guò)電流的檢測(cè)是將Power MOS的Rds(on)當(dāng)成感應(yīng)阻抗用以監(jiān)測(cè)其電壓的下降情形,若比所定的過(guò)電流檢測(cè)電壓還高則停止放電,

公式為:

V-(過(guò)電流檢測(cè)電壓)=I(放電電流)*Rds(on)*2 

 假設(shè)V-=0.2V, Rds(on)=25mΩ,則保護(hù)電流的大小為I=4A

 

 [!--empirenews.page--]同樣的,過(guò)電流檢出也必須要設(shè)有延遲時(shí)間以防有突然的電流流入時(shí),會(huì)發(fā)生誤動(dòng)作,使其發(fā)生保護(hù)的誤動(dòng)作。 通常在過(guò)電流發(fā)生后,若能移除過(guò)電流之因素(例如:馬上與負(fù)載脫離..),就會(huì)回復(fù)其正常狀態(tài),可以再實(shí)行正常的充放電動(dòng)作

鋰電池保護(hù)IC的新功能:

除了上述的鋰電池保護(hù)IC功能之外,現(xiàn)在還有一些新的功能值得我們注意,以東瑞電子所獨(dú)家代理的"Ricoh"鋰電池保護(hù)IC為例---R5426

(1)   充電時(shí),過(guò)電流之保護(hù): 

當(dāng)連接充電器在充電時(shí)突然有過(guò)電流發(fā)生(充電器損壞),即發(fā)生充電時(shí)過(guò)電流檢測(cè),此時(shí)將Cout將由High'Low,Power MOS由ON'OFF,達(dá)成保護(hù)之動(dòng)作。

V-(Vdet4過(guò)電流檢測(cè)電壓)=I(充電電流)*Rds(on)*2 

注:Vdet4為-0.1V

 (2)   縮短測(cè)試時(shí)間: 

假設(shè)測(cè)完一片PCB所需要花的時(shí)間為1秒,那100萬(wàn)片則需要100萬(wàn)秒,非常的耗時(shí),同樣的也很沒有效率,故我們可以利用以下之功能來(lái)縮短測(cè)試時(shí)間。

 (A)  當(dāng)我們將R5426之DS pin open時(shí),此時(shí)delay time為規(guī)格書上所示

 (B)  當(dāng)我們將R5426之DS pin接VDD時(shí),此時(shí)delay time將只有1/90.

  (C)  當(dāng)我們將R5426之DS pin接Vim(min=1.2V,max=VDD-1.1V),此時(shí)將可忽略delay time

[!--empirenews.page--]

(3)   過(guò)充時(shí)鎖住模式(Latch): 

通常保護(hù)IC在過(guò)充電保護(hù)時(shí)經(jīng)過(guò)一段延遲時(shí)間之后就會(huì)將Power MOS關(guān)掉(Cout),用以達(dá)到保護(hù)的目的,當(dāng)鋰電池電壓一直下降到解除點(diǎn)(Overcharge Hysteresis Voltage)時(shí)就會(huì)回復(fù),此時(shí)又會(huì)繼續(xù)的充電,又保護(hù),又放電充電放電,這種情形并不是一種很好的狀況且安全性的問(wèn)題將無(wú)法有效的獲得解決。

鋰電池一直重復(fù)著做著充電放電充電放電的動(dòng)作, Power MOS的Gate將反復(fù)的High/Low,這樣可能會(huì)使MOSFET變熱.,也同時(shí)對(duì)于電池的壽命造成引想,由此可知Latch Mode的重要性。

假如鋰電時(shí)保護(hù)電路在偵測(cè)到過(guò)充電保護(hù)時(shí)有Latch Mode,MOSFET將不會(huì)變熱,且安全性相對(duì)的提高許多。在偵測(cè)到過(guò)充電保護(hù)之后,只要有連接充電器在電池包上,此時(shí)之狀態(tài)及到達(dá)過(guò)充時(shí)鎖住模式,因此,雖然鋰電池的電壓一值下降,但不會(huì)發(fā)生再充電的情形.要解除這個(gè)狀況,只要將充電器移除并連接負(fù)載即可回復(fù)充放電的狀態(tài)。 
 

 (4)   縮小保護(hù)電路組件: 將過(guò)充電和短路保護(hù)用的延遲電容給內(nèi)包到保護(hù)IC里面

保護(hù)IC的要求:

(A)   過(guò)度充電保護(hù)的高精化: 

當(dāng)鋰離子電池有過(guò)度充電狀態(tài)時(shí),為防止因溫度上升所導(dǎo)致的內(nèi)壓上升,須截止充電狀態(tài)。此保護(hù)IC即檢視電池電壓,當(dāng)偵測(cè)到過(guò)度充電時(shí),則過(guò)度充電偵測(cè)的Power-MOSFET使之OFF而截止充電。此時(shí)所應(yīng)注意者,就是過(guò)度充電的檢測(cè)電壓的高精度化,在電池充電時(shí),使電池充電到飽滿的狀態(tài)是使用者很在意的問(wèn)題,同時(shí),兼顧到安全性的問(wèn)題,就得在達(dá)到容許電壓時(shí)截止充電狀態(tài)。要同時(shí)符合這兩個(gè)條件,就要有非常高精度的偵測(cè)器,目前精度為25mV,但將來(lái)勢(shì)需有更精度的要求。

(B)   減低保護(hù)IC的耗電流達(dá)到過(guò)度放電保護(hù)目的: 

已充過(guò)電的鋰離子電池電隨著使用時(shí)間,電池電壓會(huì)漸減,最后低到規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)值以下。此時(shí)就需要再度充電。若未充電而繼續(xù)使用的話,恐就無(wú)法再充電了(過(guò)放電狀態(tài))。而為防止過(guò)放電狀態(tài),保護(hù)IC即要偵測(cè)電池電壓的狀態(tài),一旦到達(dá)過(guò)放電偵測(cè)電壓以下,就得使放電一方的Power-MOSFET OFF而截止放電。但此時(shí)電池本身仍有自然放電及保護(hù)IC的消費(fèi)電流存在,因此需要使保護(hù)IC的耗電流降到最低的程度。

(C)   過(guò)電流/短路保護(hù)需有低偵測(cè)電壓及高精度的要求: 

因不明原因?qū)е露搪范写箅娏骱膿p時(shí),為確保安全而使之停止放電。在過(guò)電流的偵測(cè)是以Power MOS的Rds(on)為感應(yīng)阻抗,以監(jiān)視其電壓的下降,此時(shí)的電壓若比過(guò)電流偵測(cè)電壓還高時(shí)即停止放電。為了使Power MOS的Rds(on)在充電電流與放電電流時(shí)有效的應(yīng)用,需使該阻抗值盡量低,(目前約20mΩ ~30mΩ )。如此,過(guò)電流偵測(cè)電壓就可較低。

(D)   實(shí)現(xiàn)耐壓值: 

電池包與充電器連接時(shí)瞬間會(huì)有高壓產(chǎn)生,因此保護(hù)IC因具備有"耐高壓的要求(Ricoh的保護(hù)IC即可承受到28V)

(E)   低耗電: 

當(dāng)?shù)竭_(dá)保護(hù)時(shí),其靜態(tài)耗電流必須要小(0.1uA)

(F)   零伏可充電: 

有些電池在存放的過(guò)程中可能因?yàn)榉盘没虿徽5脑驅(qū)е码妷旱偷?V,故保護(hù)IC需要在0V也可以充電的動(dòng)作
保護(hù)IC功能未來(lái)發(fā)展

未來(lái)的發(fā)展將如前述,提高偵測(cè)電壓的精度、降低保護(hù)IC的耗電流及包裝、整合MOS 、提高誤動(dòng)作防止功能等,同時(shí)充電器連接端子的高耐壓化也是開發(fā)的重點(diǎn)。

包裝方面,目前已由SOT23-6漸漸的朝向SON6,將來(lái)還有CSP的Package,甚至COB產(chǎn)品的出現(xiàn),用以滿足現(xiàn)在所強(qiáng)調(diào)的輕薄短小,而保護(hù)IC也不是所有的功能都一定必須要用的,可根據(jù)不同的鋰電池材料開發(fā)出單一保護(hù)(如:只有過(guò)充保護(hù)或過(guò)放保護(hù)功能),可大大的減少成本及空間,這對(duì)我們來(lái)說(shuō)可未嘗不是一件好事. 

當(dāng)然,功能組件單晶化是一致的目標(biāo),如目前行動(dòng)電話制造商都朝向?qū)⒈Wo(hù)IC、充電電路、電源管理IC等外圍電路集成單芯片,與邏輯IC構(gòu)成雙芯片的芯片組,但目前要使Power MOS的開路阻抗降低,難以與其它IC合組,即使以特殊技術(shù)制成單芯片,恐怕成本將會(huì)過(guò)高,因此,保護(hù)IC的單晶化將需一段時(shí)間來(lái)解決。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國(guó)汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時(shí)1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動(dòng) BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來(lái)越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時(shí)企業(yè)卻面臨越來(lái)越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場(chǎng)的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開幕式在貴陽(yáng)舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語(yǔ)權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對(duì)環(huán)境變化,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤(rùn)率延續(xù)升勢(shì) 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長(zhǎng) 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營(yíng)商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國(guó)電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長(zhǎng)三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會(huì)上,軟通動(dòng)力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱"軟通動(dòng)力")與長(zhǎng)三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉