智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B
摘要:IR1166/7A-B則是一款能從電源變壓器二次側(cè)檢測(cè)信號(hào)作智能式同步整流的控制IC,它不僅不需要從初級(jí)側(cè)傳輸信號(hào),而且能適應(yīng)多種電路拓樸,還可應(yīng)用于定頻PWM及變頻PWM等方面。文中詳細(xì)介紹了IR1166/7A-B的主要特點(diǎn)、引腳功能、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及典型應(yīng)用。
關(guān)鍵詞:IR1166/7;開關(guān)電源;整流
開關(guān)電源技術(shù)中,使系統(tǒng)效率提升最明顯的是同步整流技術(shù),應(yīng)對(duì)不同的電路拓樸有不同模式的同步整流控制方法,但至今為止,多數(shù)同步整流控制IC需要從初級(jí)側(cè)取同步信號(hào),這給同步整流設(shè)計(jì)工作帶來一定的繁鎖。IR公司購買專利技術(shù)新開發(fā)的IR1166/7A-B則是一款能從電源變壓器二次側(cè)檢測(cè)信號(hào)作智能式同步整流的控制IC,它不僅不需要從初級(jí)側(cè)傳輸信號(hào),而且能適應(yīng)多種電路拓樸,適應(yīng)定頻PWM及變頻PWM,因此它的問世及應(yīng)用是開關(guān)電源技術(shù)的又一大進(jìn)步。
1 主要特點(diǎn)
IR1167系在開關(guān)電源二次側(cè)專用于驅(qū)動(dòng)同步整流MOSFET的控制IC,且能適應(yīng)DCM、CCM以及多種電路拓樸??梢怨ぷ髟诙l及變頻兩種模式,也能用于不對(duì)稱半橋電路的同步整流,其主要特色有:
◇適應(yīng)反激變換器的DCM、CRM及CCM三種模式工作,還適用于LLC式半橋。
◇具有最高500kHz工作頻率。
◇可提供總計(jì)7A(IR1166為4A)的輸出驅(qū)動(dòng)及關(guān)斷峰值電流(2A源出5A漏入)的能力。
◇其柵驅(qū)動(dòng)輸出電壓在10.7~14.5V。
◇可提供50ns關(guān)斷比例延遲。
◇VCC電壓從11.3~20V。
◇可直接檢測(cè)MOSFET的源漏電壓。
◇符合低于1W的Standby能量之星的要求。
2 引腳功能
IR1166/7A-B共有8(PIN)個(gè)端子,其主要引腳功能如下:
1PIN VCC IC供電端,內(nèi)部有欠壓鎖定及過壓關(guān)斷保護(hù)。在VCC電壓低于11.3V時(shí)關(guān)斷,高于20V時(shí)關(guān)閉,為防止噪聲干擾,必須在緊靠IC處加一個(gè)足夠大的旁路電容。
2PIN OVT偏置電壓調(diào)整,OVT端用于調(diào)節(jié)關(guān)斷閾值VTH1的偏移量。此端可選擇接到GND,或接到VCC,或令其浮動(dòng),共三種輸入偏置調(diào)整。此特色可以應(yīng)對(duì)不同水平的MOSFET的RDSON。
3PIN MOT最小導(dǎo)通時(shí)間,MOT調(diào)節(jié)端控制最小導(dǎo)通時(shí)間的總量,一旦VTH2穿過第一時(shí)間,即給出柵驅(qū)動(dòng)信號(hào),令整流MOSFET導(dǎo)通,因?yàn)樘摷傩盘?hào)及振蕩也會(huì)觸發(fā)輸入比較器,所以MOT用于消隱比較器保持MOSFET導(dǎo)通,且維持一個(gè)最小時(shí)間。MOT調(diào)節(jié)范圍在200ns到3μs之間,與地之間接一支電阻即可實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。
4PIN EN使能端,此端可使IC進(jìn)入休息模式,將電壓拉到2.5V以下。在休息模式,IC消耗電流總量很小,當(dāng)然開關(guān)功能也被禁止,無法做柵驅(qū)動(dòng)。
5PIN VD漏極電壓檢測(cè)端,用于檢測(cè)同步整流MOSFET的漏極電壓,由于此端電壓會(huì)比較高,必須小心處理,用合適的方法將其接到漏極,此外在此端不可作濾波或作限流,這會(huì)影響IC的性能。
6PIN VS源極電壓檢測(cè)端,用于檢測(cè)同步整流MOSFET的源極電壓,此端必須直接接于電源的GMD及IC的(7)PIN,要用Kelvin接法,盡可能靠近MOSFET的源極端子。
7PIN GND IC的公共端,內(nèi)部元件及柵驅(qū)動(dòng)的參考端。
8PIN VGATE柵驅(qū)動(dòng)輸出端,此端為IC驅(qū)動(dòng)同步整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)輸出端,源出能力為2A,漏入能力為5A峰值電流。雖然此端可直接接于功率MOSFET柵極,但建議加一支小電阻串入在柵回路中,特別在驅(qū)動(dòng)幾個(gè)同步整流MOSFET并聯(lián)時(shí),小心地保持柵驅(qū)動(dòng)環(huán)路有最小的路徑,從而實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能。
3 內(nèi)部功能
IR1167的內(nèi)部等效電路如圖1。其基本應(yīng)用電路如圖2所示。
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3.1 UVLO/Sleep模式
IC保持在UVLO條件之下,直到VCC端電壓超過VCC開啟閾值電壓Vcc on。在IC處于UVLO狀態(tài)時(shí),柵驅(qū)動(dòng)電路處于非激活狀態(tài)。IC的靜態(tài)工作電流Iccstart流過,UVLO模式在VCCUVLO時(shí),即為此種狀態(tài),休息模式可以用將EN端電壓拉低到2.5V以下。在此時(shí),IC也只有極低的靜態(tài)工作電流。
3.2 正常模式
一旦VCC超過UVLO電壓,IC即進(jìn)入正常工作模式,此時(shí),柵驅(qū)動(dòng)可以開始工作,Icc最大的工作電流從VCC電壓源取得。
IR1167智能同步整流IC可以仿效整流二極管的工作,合適地驅(qū)動(dòng)同步整流用的功率MOSFET。整流電流的方向檢測(cè)由輸入比較器采用MOSF-ET的RDSON作為并聯(lián)電阻,且據(jù)此給出柵驅(qū)動(dòng)輸出,內(nèi)部消隱邏輯用于防止抑制瞬態(tài)干擾,保證CCM或DCM或CRM的工作模式(見圖3)。在反激式變換電路中,有上述三種電流狀態(tài)。
3.3 導(dǎo)通階段
當(dāng)SR的MOSFET剛開始導(dǎo)通時(shí),電流先經(jīng)過其體二極管,產(chǎn)生一個(gè)負(fù)電壓VDS,體二極管壓降隨電流而增大,IC檢測(cè)此電壓,在其超過VT-H2時(shí)驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通,作同步整流,在這一點(diǎn)IR1167驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通,使VDS降下來,加入一段最小導(dǎo)通時(shí)間MOT(minimum on time),消隱干擾,保持MOSFET導(dǎo)通,因而MOT還限制了初級(jí)側(cè)的最大占空比。
3.4 DCM及CRM的關(guān)斷階段
一旦SR的MOSFET導(dǎo)通,會(huì)一直保持到整流電流減下來使VDS達(dá)到閾值VTH1時(shí)進(jìn)入關(guān)斷,這和導(dǎo)通時(shí)工作模式相關(guān)。
在DCM中,電流跨過閾值有相對(duì)低的di/dt。一旦跨過閾值,電流會(huì)再次流入體二極管,又使VDS電壓跳向負(fù)電平,它取決于電流總量。為防VDS又去觸發(fā)MOSFET到導(dǎo)通,在VTH2之后加入一段消隱時(shí)間tblank,在到達(dá)VTH1后。消隱時(shí)間由IC內(nèi)設(shè)置。當(dāng)VDS電壓變正進(jìn)入VTH2時(shí),消隱時(shí)間也由IC內(nèi)設(shè)置,當(dāng)VDS電壓變正進(jìn)入VTH3時(shí),消隱時(shí)間終止。IC進(jìn)入下一周期工作。DCM模式的工作波形見圖4。
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3.5 CCM關(guān)斷階段
在CCM模式時(shí),關(guān)斷過程要陡峭得多,di/dt免不了會(huì)更高。導(dǎo)通階段對(duì)DCM及CRM是理想的,但此時(shí)不能重復(fù)。在同步整流MOSFET導(dǎo)通階段,電流將線性地衰減,因此同步整流MOSFET的VDS將升上來。一旦初級(jí)開關(guān)開始返回導(dǎo)通狀態(tài)。同步整流MOSFET的電流會(huì)迅速減小,其壓降跨過VTH閾值而關(guān)斷,具體見圖5。
關(guān)斷速度較臨界,為防止初級(jí)的交叉導(dǎo)通,并減少開關(guān)損耗,此時(shí)要一段消隱時(shí)間加入,但此階段要給出非常快的動(dòng)作速度,隨著VDS達(dá)到VTH3迅速復(fù)位。
圖6給出二次側(cè)的DCM、CRM和CCM的工作波形。圖7給出最大允許的VCC電壓和不同負(fù)載的最高開關(guān)頻率關(guān)系。