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[導讀]背靠背MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V(IN1)(5V)電源,而Q3-A和Q3-B接到V(IN2)(3.3V)電源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止內部二極管與5V和3.3V電源短路。LTC1645的Gate1引腳控制Q3-A和Q3-B,Gate2引腳控制Q1-A和Q

背靠背MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V(IN1)(5V)電源,而Q3-A和Q3-B接到V(IN2)(3.3V)電源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止內部二極管與5V和3.3V電源短路。LTC1645的Gate1引腳控制Q3-A和Q3-B,Gate2引腳控制Q1-A和Q1-B。ON引腳對Gate1的導通門限電壓為0.8V,對Gate2的導通門限電壓為2.0V。V(CC1)和V(CC2)引腳的欠壓鎖定門限分別為2.3V和1.2V。因為圖1所示電路選用了兩個電源電壓,所以有可能出現(xiàn)以下兩種情況:

 

圖1:LTC1645與LTCI1735(采用SEPIC變換器)構成3.3V和5V熱插拔電路

---- 情況1:提供5V和3.3V電源
---- 當5V和3.3V電源電壓分別加到V(IN1)和V(IN2)時,D1將V(CC1),V(CC2),Sense1和Sense2引腳上拉到大約4.7V,用來清除V(CC1)和V(CC2)的欠壓鎖定門限。COMP(+)引腳被R2與R6構成的分壓器上拉到2.5V。因為COMP(+)引腳的電壓(內部比較器的同相輸入端)比1.24V門限電壓高,所以COMPOUT引腳(比較器的漏極開路輸出)被R7上拉到5V。這樣使Q5導通,并將Q3-A和Q3-B的柵極下拉到地。ON引腳被R1,R4和R8上拉到2.74V左右。在一個工作周期(t=C2·1.24V/2μA)之后,來自電荷泵的10μA內部電源源接到Gate1和Gate2引腳。Gate1引腳被Q5下拉到地,而Gate2引腳的電壓開始上升,其斜率規(guī)定為dV/dt=10μA/C1。內部電荷泵保證Gate2引腳電壓大約上升到12V。當Gate2引腳上升到1V左右時,Q1-A和Q1-B開始導通,并且V(OUT_HOT_SWAP)開始上升。輸出電壓將平穩(wěn)地上升輸入電壓,這里是5V。圖2分別示出了Gate2和V(OUT_HOT_SWAP)引腳電壓分別上升到12V和5V時的特性曲線。

圖2:V(GATE2)和V(OUT_HOT_SWAP)引腳電壓分別增加到12V和15V

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