電平移位電路將低壓控制信號轉換為高壓控制信號，實現(xiàn)低壓邏輯對高壓功率輸出級的控制，屬于高壓器件的控制技術領域，在電機驅動、PDP顯示、OLED顯示等方面得到了廣泛的應用。在高壓器件的控制技術領域，可將控制電路和高壓輸出驅動電路集成在一起，實現(xiàn)高耐壓、大電流、高精度。為了提供很大的驅動能力，通常需要采用很大的輸出級驅動管。電平移位電路作為連接控制電路和輸出驅動級的關鍵電路，一方面要求有很高的驅動能力，滿足輸出級的驅動要求；另一方面電平移位電路也是高電壓工作，要求有比較低的靜態(tài)電流，從而降低功耗。常規(guī)的電平移位電路將0～VDD（VDD為普通電平）低電壓控制信號轉換為0～VPP（VPP為高壓電平）的高電壓控制信號，用于驅動高壓下工作的輸出級PMOS管。在該情況下，輸出級PMOS管的最大柵源電壓為VPP，為保證可靠性，必須使晶體管能夠承受VPP的高電壓，通常采用增加柵氧厚度等一些復雜的工藝解決，但一方面增加了工藝成本，另一方面當工作電壓不斷增大時，工藝解決的難度將大幅提高。
對于輸出級NMOS管，常規(guī)的方法是采用0～VDD的低電壓控制信號直接驅動。隨著工藝的不斷發(fā)展，控制電路的工作電壓VDD不斷降低，并且輸出級的柵氧厚度較厚，因此造成低電平控制信號的驅動能力不足。
本文提出了新的電平移位柵電壓控制電路，利用二極管的反向工作特性，結合正反饋電路狀態(tài)轉換時二極管兩端電壓差很大，發(fā)生反向擊穿，瞬態(tài)擊穿電流很大，提供了很大的驅動能力，使狀態(tài)快速轉換；狀態(tài)穩(wěn)定后，二極管兩端電壓差較小，靜態(tài)電流很小，電路的靜態(tài)功耗很低，正反饋實現(xiàn)快速的狀態(tài)轉換，最終設計出輸出級PMOS管柵電壓電平移位電路，實現(xiàn)從0～VDD到VP～VPP（VP根據(jù)輸出級PMOS管的工藝參數(shù)而定，既保證PMOS管很好的開啟，又滿足可靠性要求）的電平轉換，為輸出級PMOS管提供柵驅動電壓。輸出級NMOS管柵電壓電平移位電路從0～VDD到0～VN（VN根據(jù)輸出級NMOS管的工藝參數(shù)而定，既保證NMOS管很好地開啟，又滿足可靠性要求）的電平轉換，為輸出級NMOS管提供柵驅動電壓。
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