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[導(dǎo)讀] 電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn):由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 復(fù)費(fèi)率電能表 以及具有雙向通訊能力的電子式電能表等,其提供的擴(kuò)展功

電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn):由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 復(fù)費(fèi)率電能表 以及具有雙向通訊能力的電子式電能表等,其提供的擴(kuò)展功能包括:自動讀表(AMR)、線上查詢、遠(yuǎn)程連接/斷開,以及復(fù)雜的計費(fèi)結(jié)構(gòu)等等。這些電能表還可讓使用者對其耗電量有更好的控制,以便節(jié)省電費(fèi)及更有效地分配用電量。

如圖1所示,電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊:電壓電流取樣電路;16位以上分辨率的ADC;計量與控制單元;通信接口;操作界面;顯示器;存儲器。本文將以存儲器為重點(diǎn)說明為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)。

鐵電存儲器的技術(shù)特點(diǎn)

首先要說明的是鐵電存儲器和浮動?xùn)糯鎯ζ鞯募夹g(shù)差異?,F(xiàn)有閃存和EEPROM都是采用浮動?xùn)偶夹g(shù),浮動?xùn)糯鎯卧粋€電隔離門,浮動?xùn)盼挥跇?biāo)準(zhǔn)控制柵的下面及通道層的上面。浮動?xùn)攀怯梢粋€導(dǎo)電材料,通常是多芯片硅層形成的 (如圖2所示)。浮動?xùn)糯鎯卧男畔⒋鎯κ峭ㄟ^保存浮動?xùn)艃?nèi)的電荷而完成的。利用改變浮動?xùn)糯鎯卧碾妷壕湍苓_(dá)到電荷添加或擦除的動作,從而確定存儲單元是在 ”1”或“0” 的狀態(tài)。但是浮動?xùn)偶夹g(shù)需使用電荷泵來產(chǎn)生高電壓,迫使電流通過柵氧化層而達(dá)到擦除的功能,因此需要5-10ms的擦寫延遲。高寫入功率和長期的寫操作會破壞浮動?xùn)糯鎯卧?,從而造成有限的擦寫存儲次?shù)(例如:閃存約十萬次,而EEPROM則約1百萬次)。

鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體,如圖3所示。當(dāng)一個電場被施加到鐵晶體管時,中心原子順著電場停在低能量狀態(tài)I位置,反之,當(dāng)電場反轉(zhuǎn)被施加到同一鐵晶體管時,中心原子順著電場的方向在晶體里移動并停在另一低能量狀態(tài)II。大量中心原子在晶體單胞中移動耦合形成鐵電疇,鐵電疇在電場作用下形成極化電荷。鐵電疇在電場下反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷較高,鐵電疇在電場下無反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷較低,這種鐵電材料的二元穩(wěn)定狀態(tài)使得鐵電可以作為存儲器。

圖1、電子電能表的基本電路方塊圖。


圖2、浮動?xùn)糯鎯卧?/p>


圖3、鐵電存儲器結(jié)晶單元。

特別是當(dāng)移去電場后,中心原子處于低能量狀態(tài)保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存不會消失,因此可利用鐵電疇在電場下反轉(zhuǎn)形成高極化電荷,或無反轉(zhuǎn)形成低極化電荷來判別存儲單元是在 ”1”或 “0” 狀態(tài)。鐵電疇的反轉(zhuǎn)不需要高電場,僅用一般的工作電壓就可以改變存儲單元是在 ”1”或 “0” 的狀態(tài);也不需要電荷泵來產(chǎn)生高電壓數(shù)據(jù)擦除,因而沒有擦寫延遲的現(xiàn)象。這種特性使鐵電存儲器在掉電后仍能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù),寫入速度快且具有無限次寫入壽命,不容易寫壞。所以,與閃存和EEPROM 等較早期的非易失性內(nèi)存技術(shù)比較,鐵電存儲器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。

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