利用Cadence設(shè)計(jì)COMS低噪聲放大器
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0 引 言
Cadence Design Systems Inc.是全球最大的電子設(shè)計(jì)技術(shù)、程序方案服務(wù)和設(shè)計(jì)服務(wù)供應(yīng)商。它的解決方案旨在提升和監(jiān)控半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)工程和電信設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及其他各類型電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。Cadence公司的電子設(shè)計(jì)自動化產(chǎn)品涵蓋了電子設(shè)計(jì)的整個(gè)流程,包括系統(tǒng)級設(shè)計(jì)、功能驗(yàn)證、IC綜合及布局布線、模擬和混合信號及射頻IC設(shè)計(jì)、全定制集成電路設(shè)計(jì)、IC物理驗(yàn)證、PCB設(shè)計(jì)和硬件仿真建模等。Cadence軟件支持自頂向下(Top-down)的芯片設(shè)計(jì),是業(yè)界廣泛采用的設(shè)計(jì)工具。該軟件通過Li-brary CelI View三級目錄輔助芯片設(shè)計(jì):
(1)設(shè)計(jì)者為自己要完成的系統(tǒng)任務(wù)建立新的Li-brary;
(2)分析系統(tǒng)及其指標(biāo)來確定系統(tǒng)的各個(gè)模塊,每個(gè)模塊對應(yīng)于Library中的一個(gè)Cell;
(3)每個(gè)模塊的設(shè)計(jì)包括電路(Schematic)設(shè)計(jì)和版圖(Layout)設(shè)計(jì),兩者密不可分,電路圖與版圖都是模塊中的View。
同時(shí),Cadence公司還提供設(shè)計(jì)方法教學(xué)服務(wù),幫助客戶優(yōu)化其設(shè)計(jì)流程;提供設(shè)計(jì)外包服務(wù),協(xié)助客戶進(jìn)入新的市場領(lǐng)域。垂直解決方案是Cadence 為幫助IC設(shè)計(jì)公司迅速建立設(shè)計(jì)架構(gòu),并獲得更短、可預(yù)測性更高的設(shè)計(jì)周期而推出的獨(dú)具特色的整套解決方案,其目標(biāo)是為了推動不同領(lǐng)域產(chǎn)品的開發(fā)步伐,設(shè)計(jì)錦囊(Process Design Kit,PDK)是其重要組成部分。“錦囊”通過將驗(yàn)證方式和流程與IP相結(jié)合的方式,更好地應(yīng)對無線、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)電子等不同領(lǐng)域在設(shè)計(jì)方面的挑戰(zhàn)。通過采用“錦囊”,用戶可將其寶貴的資源投入在差異化設(shè)計(jì)而不是基礎(chǔ)設(shè)計(jì)方面。
1 低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)
(1)電路結(jié)構(gòu)。圖1是此次實(shí)驗(yàn)中所用電路的完整電路原理圖。圖中共源管M1作為主放大管,給電路提供足夠的增益;共柵管 M2用來減小M1的Cgd1引起的密勒效應(yīng)以及增強(qiáng)整個(gè)電路的反向隔離性能;M3,Rref,Rbias構(gòu)成偏置電路,以實(shí)現(xiàn)M1所需的直流偏置。對于輸入/輸出匹配電路,可以利用Smith圓圖完成初步設(shè)計(jì);然后利用Cadence軟件套件中用于集成電路仿真的組件IC 5.1進(jìn)行更加精確的電路參數(shù)調(diào)試。
(2)電路設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)中采用新加坡特許(CHRT)的0.35μm RF CMOS工藝。電路工作在2.4 GHz,信號源電阻為50 Ω,M1的偏置電流取為5 mA。根據(jù)文獻(xiàn)[3],通過計(jì)算可得CHRT 0.35 μm COMS工藝Cox的值約為4.6mF/m2,根據(jù)文獻(xiàn)[4,5]可以得到最優(yōu)柵寬公式:Wopt△1/3ωLCoxRs,計(jì)算得M1的最優(yōu)寬度約為 240μm。根據(jù)公式RS=ωtLS,可得LS的值約為O.54 nH。根據(jù)公式CRS=(2/3)WoptLCox,得到CgS的值約為150 fF。將LS和CgS的值代入公式
為輸入信號角頻率),可以得到Lg的值約為16.2 nH。偏置電路中M3的尺寸和電流選為M1的1/2。
2 仿真與調(diào)試
(1)電路原理圖仿真。IC 5.1.41中用到的原理圖編輯器是Virtuoso Schematic Editor。首先,在編輯器中輸入圖1所示的低噪聲放大器完整的電路原理圖。接著,為了完成電路仿真,得到所需的電路參數(shù),還需要在模擬環(huán)境 (Analog Design Environment)進(jìn)行必要的設(shè)置,比如電路中用到的各個(gè)變量取值、S參數(shù)仿真(SP仿真)或者直流(DC)仿真的參數(shù)等。這些在軟件的用戶手冊 (Cdsdoc)以及一些相關(guān)的使用教程里面都有詳細(xì)的說明,在此不再重復(fù)。
在必要的軟件設(shè)置都完成之后,便可以順利地將電路原理圖轉(zhuǎn)換成網(wǎng)表并仿真(Netlist and Run),從而得到感興趣的電路參數(shù),軟件默認(rèn)啟動的仿真器是spec-tre。在此次的低噪聲放大器設(shè)計(jì)過程中,主要關(guān)注電路的S參數(shù)、噪聲系數(shù)FN。
為了將輸出阻抗匹配到50 Ω,首先可以利用Smith圓圖來完成輸出匹配的初步設(shè)計(jì)。通過計(jì)算,本次設(shè)計(jì)需要在負(fù)載電路端并聯(lián)一個(gè)電容Cout1,然后串聯(lián)一個(gè)電容Cout2。通過調(diào)試,確定Cout1和Cout2的值分別約為180 fF和450 fF。
(2)電路版圖設(shè)計(jì)。版圖是集成電路設(shè)計(jì)中十分重要的一環(huán),它對射頻電路的性能有很大的影響。由于工作頻率很高,寄生效應(yīng)和襯底耦合效應(yīng)很明顯,因此要整體考慮其布局布線,盡量減小寄生參數(shù)的影響。首先,布局要合理,要注意信號線的走線長度,無源器件,特別是電感和其他部分要保持適當(dāng)?shù)拈g距;信號線要盡量寬些,這樣可以降低串聯(lián)電感和寄生電阻;
要盡可能的多用地線,電源線與地線盡量平行,以形成去耦電容,達(dá)到去除電源的高頻耦合分量的目的;
電源線盡量采用底層金屬,RF信號線盡量采用頂層金屬,而在版圖空白處盡量多布地線,盡可能地降低走線過程中的襯底損耗和串?dāng)_。
結(jié)合CHRT 0.35μm RF CMOS工藝的PDK,可以很方便地生成電路的元器件版圖輸出,接著完成必要的電路連線,便可以得到電路的版圖結(jié)果。
電路實(shí)現(xiàn)版圖設(shè)計(jì)之后還需要完成物理驗(yàn)證。
在版圖編輯器(Layout XL Edit)的Verify菜單當(dāng)中,可以找到DRC,LVS,Extract對應(yīng)的選項(xiàng);在完成了必要的參數(shù)設(shè)置之后,便可以完成電路的物理驗(yàn)證。在做完寄生參數(shù)提取之后,便可以利用包含寄生參數(shù)的電路完成電路后仿真(Post-layout simulation),從而得到與實(shí)際電路性能更為接近的各項(xiàng)仿真結(jié)果。
(3)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在完成最終電路的調(diào)試后,得到了各項(xiàng)仿真結(jié)果。
圖2、圖3分別是用電路原理圖仿真(即前仿)得到的S參數(shù)以及噪聲系數(shù)FN的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖4、圖5是完成版圖之后,考慮寄生參數(shù)的電路后仿真結(jié)果。圖4是S參數(shù)的后仿真結(jié)果。由S11,S22的曲線可知,在2.4 GHz的中心頻率附近,S11,S22<-10 dB??梢?,輸入、輸出電路均有比較好的匹配。圖5是噪聲系數(shù)FN的后仿真結(jié)果。圖6為電路版圖。
與電路的前仿結(jié)果相比,后仿真的噪聲系數(shù)有一定的上升,這說明電路中的寄生參數(shù)會使電路的噪聲性能惡化。
3 結(jié) 語
結(jié)合一個(gè)具體的低噪聲放大器(LNA)設(shè)計(jì)實(shí)例,采用CHRT的0.35μm RFCMOS工藝,在EDA軟件IC 5.1設(shè)計(jì)環(huán)境中設(shè)計(jì)了一個(gè)2.4 GHz的低噪聲放大器。設(shè)計(jì)過程中完成了電路原理圖仿真、版圖設(shè)計(jì)以及后仿真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該低噪聲放大器具有較好的電路性能。結(jié)合設(shè)計(jì)過程,還介紹了如何運(yùn)用Cadence軟件對CMOS低噪聲放大器進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和仿真。