新的功率MOSFET-SQJQ402E

在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應(yīng)用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實(shí)現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。

該款40VTrenchFET 功率MOSFET是業(yè)內(nèi)首顆使用這種8mm x 8mm占位，通過AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET，首次采用帶有能釋放機(jī)械應(yīng)力的鷗翼引線的8mm x 8mm封裝。

SQJQ402E可在+175℃高溫下工作，為電機(jī)驅(qū)動、電動助力轉(zhuǎn)向、傳動控制和噴油驅(qū)動等汽車應(yīng)用提供所需的耐用性和可靠性。器件Power PAK8x8L封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使電感最小化，在10V和4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為1.5mΩ和1.8mΩ，連續(xù)漏極電流高達(dá)200A。SQJQ402E表明了Vishay的MOSFET發(fā)展路線，這些MOSFET讓設(shè)計(jì)者在大量汽車應(yīng)用里能發(fā)揮這種封裝的優(yōu)點(diǎn)。

今天發(fā)布的器件還采用為減小PCB焊點(diǎn)應(yīng)力而專門設(shè)計(jì)的鷗翼引線，這種應(yīng)力是由寬溫工作引起的，在汽車應(yīng)用里會經(jīng)常碰到。這種方法已經(jīng)在Vishay更小的5mm x 6mm Power PAKSO-8L封裝中得到成功應(yīng)用。D2PAK和DPAK封裝含鉛，而Power PAK8x8L超越了目前的RoHS標(biāo)準(zhǔn)，是完全無鉛的。

為了節(jié)約PCB空間，降低成本，并在通常需要多個MOSFET的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更小和更輕的模塊，SQJQ402E具有與采用D2PAK封裝的器件近似的導(dǎo)通電阻和更高的連續(xù)電流，而占位面積小60%，高度低60%。與采用DPAK封裝的器件相比，SQJQ402E的導(dǎo)通電阻低一半，電流是其兩倍，高度低21%，占位僅僅多12%，能有效降低功耗。

SQJQ402E現(xiàn)可提供樣品，將在二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。在全球化的今天，就更需要我們的年輕的建設(shè)者們更加努力，不斷創(chuàng)新，推動功率器件的不斷向前，這樣才能讓我們生活中的產(chǎn)品更加讓我們方便。