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基于嵌基于μC/OS-II嵌入式實時操作系統(tǒng)的低功耗開發(fā)
基于嵌基于μC/OS-II嵌入式實時操作系統(tǒng)的低功耗開發(fā)
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嵌入式互聯(lián)網(wǎng)商機(jī)無限，Intel繼續(xù)向低功耗邁進(jìn)
嵌入式市場無疑是眼下Intel最為關(guān)注的領(lǐng)域之一。繼凌動系列之后，Intel日前在其“Intel首款嵌入式SoC應(yīng)用論壇”上正式面向中國市場發(fā)布了其第一款基于Intel架構(gòu)的嵌入式SoC——EP80579集成處理器。而Intel也對嵌入式
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乘“嵌入式互聯(lián)網(wǎng)”之東風(fēng)，Intel持續(xù)向低功耗邁進(jìn)
嵌入式市場無疑是眼下Intel最為關(guān)注的領(lǐng)域之一。繼凌動系列之后，Intel日前在其“Intel首款嵌入式SoC應(yīng)用論壇”上正式面向中國市場發(fā)布了其第一款基于Intel架構(gòu)的嵌入式SoC——EP80579集成處理器。而Intel也對嵌入式
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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時
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臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖 預(yù)計2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時
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FPGA：65nm器件上量低功耗市場興起
隨著65nm工藝的應(yīng)用以及更多低功耗技術(shù)的采用，F(xiàn)PGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量，具備進(jìn)入更廣泛市場的條件。FPGA從業(yè)者表示，今年FPGA快速增長，而預(yù)計明年仍將是一個增長年。比拼65nm器件加
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數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：多種專利技術(shù)擴(kuò)展轉(zhuǎn)換之門
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器是模擬世界與數(shù)字世界之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的橋梁。近年來，隨著人們的生活設(shè)施不斷被數(shù)字化，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求量也越來越大。今天，在我們所使用的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3、數(shù)字電視以及數(shù)字化儀表中，都有多個數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)
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有源電子標(biāo)簽低功耗防沖突協(xié)議設(shè)計
引 言 錨固技術(shù)是巖土加固工程的主要方法，目前己廣泛應(yīng)用于礦山、鐵路、水利水電、地質(zhì)等系統(tǒng)的隧道、邊坡、山體加固等工程中。但巖土加固工程屬隱蔽工程，在施工過程中的管理和監(jiān)督較為困難，目前國內(nèi)在驗收
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液晶面板未來發(fā)展重點(diǎn)：降低功耗是關(guān)鍵
液晶（LCD）面板目前技術(shù)發(fā)展?jié)u趨成熟。除了朝向更大尺寸開發(fā)之外，下一階段的技術(shù)發(fā)展，將以低耗電為發(fā)展主軸。改善透光效率降低功耗 目前平板電視MVA（多區(qū)域垂直配向）面板開發(fā)上，能提高透光率的代表技術(shù)包括友達(dá)
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變革，一切努力都是為中國客戶提供更好的服務(wù)
——常清璞先生談瑞薩MCU 2009年的中國戰(zhàn)略和解決方案 作為許多嵌入式系統(tǒng)核心的微控制器（MCU），一直占據(jù)著電子產(chǎn)業(yè)神經(jīng)中樞的地位，而在如今，隨著嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用的日益普及，市場對MCU的需求也日趨多樣化。與
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的
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