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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢(shì)必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來自散熱、EMI等因素帶來的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡單，而是需要來自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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舍弗勒推出新一代燃料電池金屬雙極板
與上一代金屬雙極板相比，新一代雙極板可以使燃料電池電堆功率密度提升20%左右 舍弗勒已經(jīng)開始在位于德國赫爾佐根奧拉赫的試制工廠生產(chǎn)新一代雙極板，用于整車客戶樣車和小批量車型應(yīng)用 雙極板經(jīng)過全新設(shè)計(jì)，充分考慮向大批量生產(chǎn)順利過渡的可行性 德國赫爾佐根奧拉赫202...
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高頻變壓器的散熱及防護(hù)措施問題有哪些？
高頻變壓器是一種常見的電力轉(zhuǎn)換器，在許多電子設(shè)備和系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。由于高頻變壓器的工作頻率較高，散熱問題成為了限制其功率密度和效率的關(guān)鍵因素之一。本文將介紹高頻變壓器的散熱及問題防護(hù)措施有哪些。
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低頻變壓器多線并繞的好處及還存在什么問題？
低頻變壓器多線并繞是一種常見的設(shè)計(jì)，其主要優(yōu)點(diǎn)是能夠提高變壓器的效率和功率密度。本文將介紹低頻變壓器多線并繞的好處以及可能存在的問題。
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競品兩倍功率密度！德州儀器發(fā)布新款電源管理系列芯片
2020年6月30日，德州儀器（TI）線上媒體會(huì)上發(fā)布全新一代高功率密度產(chǎn)品，并介紹其在氮化鎵領(lǐng)域的最新進(jìn)展。德州儀器降壓DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓器副總裁Mark Gary和德州儀器電池管理解決方案產(chǎn)品線經(jīng)理Samuel Wong為大家詳細(xì)地解析德州儀器在電源管理創(chuàng)新方面的領(lǐng)先技術(shù)和獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
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平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 – 提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命、高效率、緊湊型驅(qū)動(dòng)電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能能夠在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，并提供優(yōu)質(zhì)的高功率密度和高溫應(yīng)用系統(tǒng)解決方案。
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同步降壓控制器解決方案支持寬 VIN 性能和靈活性
大多數(shù)電源轉(zhuǎn)換器實(shí)施的核心是效率和功率密度之間 不可避免的權(quán)衡。然而，具有獨(dú)特電源解決方案要求的新應(yīng)用正在形成。許多設(shè)計(jì)人員選擇使用兼具性能和靈活性的降壓控制器來利用經(jīng)過驗(yàn)證和驗(yàn)證的電源解決方案。
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TT Electronics公司為其WHPC系列產(chǎn)品增添了超高功率貼片電阻器，從而實(shí)現(xiàn)更佳的功率密度設(shè)計(jì)
新型反格式厚膜芯片可在更小的PCB面積內(nèi)提供兩到三倍的標(biāo)準(zhǔn)額定功率，從而可為電源電路設(shè)計(jì)提供高級(jí)選項(xiàng)
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突破光耦合的溫度限制，實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)
對(duì)于電氣隔離電源，您必須確定電氣隔離控制器IC在初級(jí)或次級(jí)的哪一端將會(huì)導(dǎo)通，如果它位于次級(jí)端，則必須通過電氣隔離提供對(duì)初級(jí)端電源開關(guān)的控制。一般而言，無論是初級(jí)端的控制器還是次級(jí)端的控制器，在兩種架構(gòu)中都需要可越過電氣隔離進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)穆窂剑ǔ楣怦詈掀?或光隔離器)。然而，它...
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關(guān)于全固態(tài)電池到底的閃光點(diǎn)以及不足解析
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的全固態(tài)電池嗎?
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關(guān)于功率密度基礎(chǔ)技術(shù)，你真的知道嗎？
什么是功率密度基礎(chǔ)技術(shù)?你知道嗎?功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。
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扁線電機(jī)的優(yōu)勢(shì)_扁線電機(jī)的劣勢(shì)
扁線電機(jī) 驅(qū)動(dòng)電機(jī)主要由定子組件、轉(zhuǎn)子組件、端蓋和輔助標(biāo)準(zhǔn)件組成，而定子繞組中又包括鐵芯、銅線繞組、絕緣材料等組成。扁線電機(jī)顧名思義就是定子繞組中采用扁銅線，先把繞組做成類似發(fā)卡
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眾泰將要推出3.5KW/L功率密度電堆的氫燃料汽車
（文章來源：第一電動(dòng)網(wǎng)） 隨著“推動(dòng)加氫設(shè)施建設(shè)”首次被寫進(jìn)2019年兩會(huì)政府工作報(bào)告，氫能源產(chǎn)業(yè)化的號(hào)角已經(jīng)吹響。而中國石化集團(tuán)與法國液化空氣集團(tuán)在北京人民大會(huì)堂簽署合作備忘錄，探討加
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如何減少航空業(yè)的碳排放
我熱愛航空業(yè)。它可以安全有效地運(yùn)送人和貨物，也是全球貿(mào)易的強(qiáng)大動(dòng)力。航空業(yè)一直處于技術(shù)創(chuàng)新的前沿和領(lǐng)先地位?，F(xiàn)在，全世界都在期待我們能找到碳排放和影響環(huán)境的持久解決方案。 航空業(yè)深知面臨
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汽車和工業(yè)應(yīng)用都需要不斷提高功率密度
LFPAK封裝系列用于提高功率密度。其主要特點(diǎn)是在封裝內(nèi)部使用了全銅夾片，在外部使用了鷗翼引腳。安世半導(dǎo)體在2002年率先推出LFPAK56封裝 - 它是一款功率SO8封裝(5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)用于替代體積更大的DPAK封裝。
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關(guān)于對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具的解決方案
傳統(tǒng)意義上講，適用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)的FET其封裝又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。但像TI的小型無引線封裝（SON）5mm×6mm FET這類最新方形扁平無引線（QFN）封裝可在硅片和源極管腳之間提供更小的封裝電阻。
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數(shù)字控制技術(shù)在功率密度和電源管理上的應(yīng)用
在一個(gè)電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術(shù)，一個(gè)是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能[4]。本文將針對(duì)第一種情況進(jìn)行詳細(xì)討論。文中比較了板
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低噪聲開關(guān)電源變壓器的設(shè)計(jì)方法
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，功率變壓器的設(shè)計(jì)極為關(guān)鍵，尤其是工作頻率提高后，要達(dá)到電源的功率密度盡量高，同時(shí)要滿足較好的EMC指標(biāo)有一定的難度。下面介紹一種變壓器設(shè)計(jì)方法，可
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如何解決功率密度問題
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。
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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V
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