帶有片上FET功率開關(guān)的廉價(jià)升壓穩(wěn)壓器很適合用于低壓升壓轉(zhuǎn)換器SEPIC(單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器),以及反激式轉(zhuǎn)換器。對(duì)于較高的電壓,設(shè)計(jì)者一般會(huì)采用一種成本更高的方案,包括一個(gè)外接FET的控制器,或一個(gè)高壓升壓穩(wěn)壓器
高壓電力電纜的銅屏蔽和鋼鎧一般都需要接地,兩端接地和一端接地有什么區(qū)別?制作電纜終端頭時(shí),鋼鎧和銅屏蔽層能否焊接在一塊?35KV高壓電纜多為單芯電纜,單芯電纜在通電運(yùn)行時(shí),在屏蔽層會(huì)形成感應(yīng)電壓,如果兩端的
帶有片上FET功率開關(guān)的廉價(jià)升壓穩(wěn)壓器很適合用于低壓升壓轉(zhuǎn)換器SEPIC(單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器),以及反激式轉(zhuǎn)換器。對(duì)于較高的電壓,設(shè)計(jì)者一般會(huì)采用一種成本更高的方案,包括一個(gè)外接FET的控制器,或一個(gè)高壓升壓穩(wěn)壓器
歐洲最大的工程技術(shù)專業(yè)團(tuán)體IET(英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì))近日表示,現(xiàn)在仍然沒有任何有力的證據(jù)能表明,人們正常的手機(jī)使用或暴露在高壓電線塔及輸電線附近會(huì)給人類帶來(lái)癌癥等健康危害。 這項(xiàng)研究結(jié)果日前被發(fā)表在IET最新
【日經(jīng)BP社報(bào)道】IDT于5月10日在北京宣布,推出擁有專利的CrystalFree壓電MEMS(pMEMS)LVDS/LVPECL(低壓差分信號(hào)/低電壓正發(fā)射極耦合邏輯)振蕩器。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋通信、消費(fèi)、云計(jì)算和工業(yè)。 該4M系列諧振器主要特點(diǎn)
“MEMS計(jì)時(shí)已經(jīng)贏得石英和晶體振蕩器的市場(chǎng)份額,將應(yīng)用從消費(fèi)器件擴(kuò)展到電信基礎(chǔ)設(shè)施和硬盤驅(qū)動(dòng)器。隨著復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到驚人的72.3%, 其收入將從2010年的1.35千萬(wàn)美元增長(zhǎng)至2015年的2.05億美元。”- IH
21ic訊 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布,已推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的 CrystalFree™ 壓電MEMS(pMEMS™)LVDS / LVPECL 振蕩器。IDT 的新型振蕩器可在
2012年5月9日 北京——歐洲最大的工程技術(shù)專業(yè)團(tuán)體IET(英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì))近日表示,現(xiàn)在仍然沒有任何有力的證據(jù)能表明,人們正常的手機(jī)使用或暴露在高壓電線塔及輸電線附近會(huì)給人類帶來(lái)癌癥等健康危害。
【2012年5月9日,臺(tái)北訊】擁有類比和數(shù)位領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云端和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)
21ic訊 歐洲最大的工程技術(shù)專業(yè)團(tuán)體IET(英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì))近日表示,現(xiàn)在仍然沒有任何有力的證據(jù)能表明,人們正常的手機(jī)使用或暴露在高壓電線塔及輸電線附近會(huì)給人類帶來(lái)癌癥等健康危害。這項(xiàng)研究結(jié)果日前被發(fā)表在
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