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國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長(zhǎng)鑫與長(zhǎng)三角3家公司達(dá)成合作
6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造
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國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫DRAM顆粒 光威8GB DDR4筆記本內(nèi)存開(kāi)賣：228元 終身質(zhì)保
繼推出國(guó)產(chǎn)閃存+主控的SSD硬盤、桌面版DDR4之后，光威今天也正式開(kāi)售國(guó)產(chǎn)筆記本內(nèi)存，使用了合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存顆粒，DDR4-2666，8GB容量版售價(jià)228元，16GB版售價(jià)428元，終身質(zhì)保
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫引領(lǐng)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器發(fā)展進(jìn)入快車道
去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，實(shí)力突破美日兩大陣營(yíng)廠商在此領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
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長(zhǎng)鑫LPDDR4X內(nèi)存取得進(jìn)展：國(guó)產(chǎn)二線品牌手機(jī)或率先采用
據(jù)消息人士透露，位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國(guó)產(chǎn)二線品牌在手機(jī)上采用。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)19nm DDR4內(nèi)存將于明年上市 LPDDR4X正在路上
12月3日消息 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DR
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中國(guó)存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)歷史性突破 明年可占全球5%份額
在中國(guó)去年進(jìn)口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中，存儲(chǔ)芯片大概占了1/3，價(jià)值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國(guó)產(chǎn)率基本為0。不過(guò)今年國(guó)內(nèi)在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0的突破，預(yù)計(jì)2020年就能占到全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的
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投資1500億元 合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存
在今天開(kāi)幕的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，專注內(nèi)存研發(fā)生產(chǎn)的合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存。 根據(jù)合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼
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合肥長(zhǎng)鑫董事長(zhǎng)朱一明加入GSA董事會(huì) 國(guó)內(nèi)已有2人入圍
全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA日前宣布，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明將成為聯(lián)盟董事會(huì)成員，這是中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍之后，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司第二次有高管進(jìn)入GSA董事會(huì)。 GSA全稱是Glob
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傳合肥長(zhǎng)鑫年底量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：19nm工藝、8Gb核心
前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設(shè)DRAM內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片，尤其是內(nèi)存來(lái)說(shuō)是一個(gè)大事件。 不過(guò)在紫光之前，我們可能看到的第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存應(yīng)該是合肥長(zhǎng)鑫公司的，他們比
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長(zhǎng)鑫重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，減少使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)
6月12日，日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
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國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)邁出一大步 合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)投產(chǎn)8Gb LPDDR4芯片
三星昨天宣布量產(chǎn)新一代的8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒，加上此前的16Gb GDDR6、16Gb DDR5內(nèi)存顆粒，三星在新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)上已經(jīng)完成布局，目前正在加速量產(chǎn)中。與三星、美光、SK Hynix相比，國(guó)內(nèi)公司在DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上依然是0，還處于研發(fā)階段。紫光旗下的西安紫光國(guó)芯雖然有DDR3、DDR4內(nèi)存顆粒生產(chǎn)，不過(guò)技術(shù)來(lái)源還是已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)。如今又一家國(guó)產(chǎn)公司開(kāi)始生產(chǎn)內(nèi)存芯片了，合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)投產(chǎn)8Gb LPDDR4芯片。
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為打破困境，中國(guó)三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)發(fā)力
中國(guó)的智能手機(jī)企業(yè)飽受存儲(chǔ)芯片短缺的困擾，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的暴漲導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)手機(jī)企業(yè)的利潤(rùn)下滑，加上存儲(chǔ)芯片對(duì)國(guó)家信息安全的重要性，這讓中國(guó)加速發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，目前中國(guó)三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)——長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華等正加緊建設(shè)它們的存儲(chǔ)芯片工廠，最快在明年將開(kāi)始投產(chǎn)，不久的將來(lái)中國(guó)將成為與日韓比肩的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)地。
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