存儲(chǔ)器

為高性能FPGA平臺(tái)選擇最佳存儲(chǔ)器

在演算法交易領(lǐng)域的最新進(jìn)展是導(dǎo)入一些更低延遲的解決方案，其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說(shuō)是硬編碼ASIC的極致性能和CPU的靈活度之間的橋梁，提

賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM™存儲(chǔ)器簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼：CY)今日宣布其基于低引腳數(shù)HyperBus™接口的全新高速自刷新動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)現(xiàn)開(kāi)始提供樣片。

華邦電有望在移動(dòng)DRAM動(dòng)蕩期嶄露頭角

分析師表示，時(shí)序邁入第3季出貨旺季，由于三星旗艦機(jī)Note 7剛上市、新一代iPhone即將推出，加上中國(guó)品牌手機(jī)出貨未見(jiàn)停歇，都讓移動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求同步大增。

嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法和策略

隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯

Xilinx擴(kuò)展產(chǎn)品路線(xiàn)圖為數(shù)據(jù)中心新增加速?gòu)?qiáng)化技術(shù)

全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+™ 產(chǎn)品路線(xiàn)圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速?gòu)?qiáng)化技術(shù)。其成品將

3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們?cè)谧錾?/a>

手機(jī)缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦

據(jù)悉，今年的iPhone 7系列可能會(huì)搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個(gè)醒目的新功能分屏多任務(wù)，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會(huì)更高。

泛林推出業(yè)界首創(chuàng)的用于低氟鎢填充的原子層沉積工藝，推動(dòng)下一代存儲(chǔ)器制造

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼：LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。

三步談構(gòu)建中國(guó)存儲(chǔ)器夢(mèng)

中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)是國(guó)策，是塊硬骨頭，目前己無(wú)退路，只有向前挺進(jìn)?，F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢(shì)肯定走自主研發(fā)道路的風(fēng)險(xiǎn)要更大些，因此要集中國(guó)內(nèi)的最頂級(jí)人材。

提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。

賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM 存儲(chǔ)器簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

HyperRAM 是業(yè)內(nèi)首款基于12引腳HyperBus 接口的自刷新DRAM，可用于各類(lèi)高性能應(yīng)用的外置便箋式存儲(chǔ)器

一種新型非易失性存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場(chǎng)主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地位，F(xiàn)RAM只有美國(guó)

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)(Altera FPGA開(kāi)發(fā)板)如下圖所示：

慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)

2016年2月24日，美國(guó)加州Milpitas——在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation

片外FIash存儲(chǔ)器IAP的n種方案

引 言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對(duì)操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們?cè)絹?lái)越多的青睞。包括工業(yè)控制領(lǐng)域

基于單片機(jī)的超大容量存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

0 引言隨著信息技術(shù)的發(fā)展，在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中需要采集存儲(chǔ)的信息越來(lái)越多，相應(yīng)地使用了各種數(shù)據(jù)采集裝置，以獲得被研究對(duì)象的相關(guān)信息。有時(shí)為了節(jié)約時(shí)間和計(jì)算機(jī)資源，一

三星與對(duì)手反其道而行　縮減存儲(chǔ)器資本支出

存儲(chǔ)器龍頭三星電子(Samsung Electronics)為了對(duì)應(yīng)市場(chǎng)消沉的狀況，預(yù)計(jì)將大幅縮減2016年的投資。比起大量生產(chǎn)，將以高附加價(jià)值產(chǎn)品為中心，只進(jìn)行保守性的投資，是要確保

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需

μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置

背景如果對(duì)ST公司的μPSD器件有一定了解，熟悉MCS-51系列單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理，使用過(guò)PSDSOFT EXPRESS和KEIL開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，將對(duì)理解本文有很大的幫助。MCS-51單片機(jī)采用哈

便攜式、低功耗體電信號(hào)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)研究

摘要：介紹目前市場(chǎng)上最常見(jiàn)的幾種非易失低功耗靜態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)，詳細(xì)說(shuō)明Compact Flash Card軟、硬件接口;提出基于Compact Flash Card和TI公司的C24x、C28x系列DSP搭建體電信