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納米存儲10年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化 將改寫IT產(chǎn)業(yè)
一些大學(xué)的研究人士預(yù)言，很快我們就可能看到存儲技術(shù)上獲得突破，在一個硬幣大小的面積上存儲250張DVD的內(nèi)容。因為不久前美國伯克利加利福尼亞大學(xué)和馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校的科學(xué)家已經(jīng)找到了一種新的方法，能讓
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存儲密度最高的ARM9標(biāo)準(zhǔn)微控制器（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）擴(kuò)大其基于ARM966E-S內(nèi)核的STR91xFA系列微控制器的片內(nèi)閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產(chǎn)品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內(nèi)核的標(biāo)準(zhǔn)微控制器市場上創(chuàng)下存儲密度的最高記錄。
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存儲密度最高的ARM9標(biāo)準(zhǔn)微控制器（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）擴(kuò)大其基于ARM966E-S內(nèi)核的STR91xFA系列微控制器的片內(nèi)閃存容量，推出兩款閃存容量為1.1MB和2.1MB的新產(chǎn)品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI內(nèi)核的標(biāo)準(zhǔn)微控制器市場上創(chuàng)下存儲密度的最高記錄。
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日立掌握4TB容量硬盤技術(shù)，2011年將普及
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我國超高密度信息存儲再創(chuàng)“世界之最”
不久前，我國科學(xué)家研制出迄今世界上信息存儲密度最高的有機(jī) 材料，將信息存儲點(diǎn)的直徑縮小到了０．６納米，從而在超高密度信息存儲研究上再創(chuàng)“世界之 最”，保持了從１９９６年起就占據(jù)的國際領(lǐng)先地位。
