(全球TMT2022年11月8日訊)三星宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子...
三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度,可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存...
三星宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面...
目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲(chǔ)器顆粒,用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn),業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲(chǔ)器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019,SK Hynix、長江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了相關(guān)的計(jì)劃,現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲(chǔ)器顆粒計(jì)劃也泄漏出來了。
西數(shù)這次推出的15TB硬盤UltraStar DC HC620系列也是基于SMR技術(shù)的,存儲(chǔ)密度從14TB SMR硬盤的1034Gbits/sq.in(每平方英寸Gbit)提升到了1108Gbits/sq.in,增加了7%左右,因此實(shí)現(xiàn)了從14TB到15TB的容量增長。
據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報(bào)道,日本東北大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谠囼?yàn)室中使用鐵電存儲(chǔ)技術(shù)將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)密度提升到了每平方英寸4Tbit,達(dá)成了鐵電存儲(chǔ)體的新世界
賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布,推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案,成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失
還記得索尼經(jīng)典磁帶機(jī)、磁帶盤嗎?現(xiàn)在,索尼磁帶再次創(chuàng)造記錄。今天,日本索尼公司展示了一種大數(shù)據(jù)備份數(shù)碼磁帶技術(shù),其磁存儲(chǔ)密度高達(dá)148GB/英寸,是標(biāo)準(zhǔn)磁帶密度的74倍,最高達(dá)到185TB存儲(chǔ)量。 據(jù)索
阻變存儲(chǔ)器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)部存儲(chǔ)器,相比現(xiàn)在的閃存,它的速度快上許多,讀寫時(shí)還非常節(jié)能。今天,加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù),可以在一顆比郵票還小的單芯片中
西數(shù)旗下日立環(huán)球存儲(chǔ)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室今天宣布,通過將自組裝分子(self-assembling molecules)、納米壓印(nanoimprinting)兩種技術(shù)的融合,他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲(chǔ)介質(zhì),其中磁島(magnetic islands)的寬度只有
目前的垂直磁記錄(PWR)技術(shù)預(yù)計(jì)很快將達(dá)到每平方英寸1Tb的物理密度極限。不過不用擔(dān)心,科學(xué)家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種降低硬盤盤片上磁點(diǎn)間隙,同時(shí)又不會(huì)讓磁點(diǎn)相互影響的新方法。 這種“直接自我排列”新技
目前的垂直磁記錄(PWR)技術(shù)預(yù)計(jì)很快將達(dá)到每平方英寸1Tb的物理密度極限。不過不用擔(dān)心,科學(xué)家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種降低硬盤盤片上磁點(diǎn)間隙,同時(shí)又不會(huì)讓磁點(diǎn)相互影響的新方法。這種“直接自我排列”新技術(shù)可以
硬盤存儲(chǔ)技術(shù)核心廠商日本TDK近日宣布,已經(jīng)在熱輔助記錄(TAMR)技術(shù)上取得重大突破,新的磁頭可將存儲(chǔ)密度翻一番,更大容量的硬盤也近在眼前了。 TDK的新磁頭使用近場(chǎng)光(Near-Field Light)來加熱媒介,
5月24日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新報(bào)告指出,硬盤密度已經(jīng)在過去幾年內(nèi)大大增加,未來4年左右可能增加一倍。iSuppli報(bào)告顯示,2016年硬盤密度預(yù)計(jì)將達(dá)到最高值1800 Gb/in2,而2011年僅為744 G
IHS iSuppli的最新存儲(chǔ)空間市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)預(yù)測(cè)稱,受音頻、視頻等存儲(chǔ)密集型應(yīng)用的推動(dòng),等到2016年的時(shí)候,硬盤的面存儲(chǔ)密度將會(huì)比現(xiàn)在翻一番還多。相對(duì)于固態(tài)硬盤來說,機(jī)械硬盤最大的優(yōu)勢(shì)就是更大的容量,而這一點(diǎn)會(huì)在未
英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間,還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息,存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾
賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布,推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案,成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8
還是小孩子的時(shí)候,小編就已經(jīng)擁有了拆電腦的半好人屬性,雖然當(dāng)時(shí)拆下來的東西總有一些裝不回去,但是啟蒙教育來說可是一筆珍貴的財(cái)富。如果你現(xiàn)在手頭有一個(gè)DVD或者藍(lán)光光驅(qū)的話,不妨跟小編一起把它的
還是小孩子的時(shí)候,小編就已經(jīng)擁有了拆電腦的半好人屬性,雖然當(dāng)時(shí)拆下來的東西總有一些裝不回去,但是啟蒙教育來說可是一筆珍貴的財(cái)富。如果你現(xiàn)在手頭有一個(gè)DVD或者藍(lán)光光驅(qū)的話,不妨跟小編一起把它的螺絲一個(gè)一個(gè)
一些大學(xué)的研究人士預(yù)言,很快我們就可能看到存儲(chǔ)技術(shù)上獲得突破,在一個(gè)硬幣大小的面積上存儲(chǔ)250張DVD的內(nèi)容。因?yàn)椴痪们懊绹死永D醽喆髮W(xué)和馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校的科學(xué)家已經(jīng)找到了一種新的方法,能讓