隨著科技的發(fā)展,在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面,各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。 2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一
隨著科技的發(fā)展,在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面,各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。 2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一
近日,富士通半導(dǎo)體宣布推出最新支持PWM調(diào)光的LED驅(qū)動芯片MB39C602系列。該系列芯片是富士通半導(dǎo)體最新開發(fā)的LED驅(qū)動芯片系列,在MB39C602之前推出的MB39C601 LED驅(qū)動芯片可
隨著科技的發(fā)展,在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面,各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)
隨著科技的發(fā)展,在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面,各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)
2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計業(yè)2012年會暨重慶集成電路
致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta日前發(fā)布了一項旨在展示其DDC(深度耗盡通道,Deeply Depleted Channel™)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平臺
風(fēng)河為富士通新一代磁盤存儲系統(tǒng)提供軟件解決方案
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2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計業(yè)2012年會暨重慶集
致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta日前發(fā)布了一項旨在展示其DDC(深度耗盡通道,Deeply Depleted Channel™)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平臺
2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計業(yè)2012年會暨重慶集
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布推出最新支持PWM調(diào)光的LED驅(qū)動芯片MB39C602系列。該系列芯片是富士通半導(dǎo)體最新開發(fā)的LED驅(qū)動芯片系列,在MB39C602之前推出的MB39C601 LED驅(qū)動芯片可支持可控硅調(diào)光的AC/
富士通半導(dǎo)體率先在中國引入28nm SoC設(shè)計服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。 MB85RC16芯片圖便攜式醫(yī)療設(shè)備
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,其面向LTE專向應(yīng)用而開發(fā)的LTE(FDD和TDD)優(yōu)化收發(fā)器---MB86L13A榮獲EDN China 2012年度創(chuàng)新獎“通信與網(wǎng)絡(luò)類手機組”之最佳產(chǎn)品獎。 此芯片在延續(xù)富士通半導(dǎo)
富士通等日本企業(yè)開始將筆記本電腦等電子產(chǎn)品的生產(chǎn)制造回歸日本,改變之前由中國工廠代工生產(chǎn)的模式。據(jù)日本媒體《日經(jīng)電腦》報道,近日富士通向媒體公開了該公司制造筆記本電腦的日本島根富士通工廠。該公司將保持