根據(jù)調(diào)整管的工作狀態(tài),我們常把穩(wěn)壓電源分成兩類:線性穩(wěn)壓電源和開關穩(wěn)壓電源。?線性穩(wěn)壓電源,是指調(diào)整管工作在線性狀態(tài)下的穩(wěn)壓電源。而在開關電源中則不一樣,開關管(
開關電源內(nèi)部主要損耗要提高開關電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。從開關節(jié)點到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會讓您無法
一個高質(zhì)量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量
01Buck開關型調(diào)整器 02CCM及DCM定義1)CCM(Continuous Conduction Mode),連續(xù)導通模式:在一個開關周期內(nèi),電感電流從不會到0?;蛘哒f電感從不“復位”,意味著
隨著LED成本的不斷下降,以及各國政府對節(jié)能環(huán)保的日益重視,LED燈的市場前景變得越來越廣闊。高亮度LED燈已經(jīng)出現(xiàn)在各種各樣場合,從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號
近來,LLC拓撲以其高效,高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞,但是這種軟開關拓撲對MOSFET 的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機,動態(tài)負載,過載
紋波噪聲是衡量電源的一個重要指標,但有多少人知道紋波和噪聲其實是兩個性能指標,降低紋波和噪聲的方法是有一定區(qū)別的,本文將與大家一起探索如何降低紋波和噪聲。一、紋
開關電源變壓器是加入了開關管的電源變壓器,在電路中除了普通變壓器的電壓變換功能,還兼具絕緣隔離與功率傳送功能一般用在開關電源等涉及高頻電路的場合。
獻給那些剛開始或即將開始設計硬件電路的人。時光飛逝,離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候,與你一樣,俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關于
在實際的應用中,工程師們經(jīng)常遇到需要進行功率測量的場景,除卻專門的功率分析儀可以完成測量之外,日常使用的示波器也能為其所用。理論來說,功率等于電壓乘以電流,而示
自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術一直在穩(wěn)步改進,目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件,它正
今天在進行《磁性元件與開關電源設計技術》企業(yè)內(nèi)訓時;在開關電源設計技術-LLC設計調(diào)試技巧中對LLC的關鍵技術及易發(fā)生故障的狀況進行了分析;LLC諧振電源如何實現(xiàn)ZVS應用及設
噪聲可以是隨機信號或重復信號,內(nèi)部或外部產(chǎn)生,電壓或電流形式帶或?qū)拵?,高頻或低頻。(在這里,我們將噪聲定義為任何在運放輸出端的無用信號)噪聲通常包括器件的固有噪聲
自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術一直在穩(wěn)步改進,目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件,它正
1.MOSFET的開關過程 MOSFET的開通過程 MOSFET的關斷過程 2.柵極驅(qū)動電路的類型直接耦合型脈沖變壓器耦合型電容耦合型用于雙管正激的驅(qū)動電路用于橋式變換器的驅(qū)動電路直
自然經(jīng)常與各種芯片打交道,可能有的工程師對芯片的內(nèi)部并不是很了解,不少同學在應用新的芯片時直接翻到Datasheet的應用頁面,按照推薦設計搭建外圍完事。如此一來即使應用
一、輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當設計共模電感,包括線徑和匝數(shù)2、放電電阻上的損耗在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織3、熱敏電阻上的損
開關型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設備提供了耦合條件,對其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模
單片機控制開關電源,單從對電源輸出的控制來說,可以有幾種控制方式。