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英特爾2022年邁向4納米工藝
英特爾2022年邁向4納米工藝
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薄晶圓系統(tǒng)提高批量制造超薄晶圓處理能力
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處理當(dāng)今
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得可提升DirEKt Coat技術(shù)高度
預(yù)見到未來對大批量晶圓粘合劑和涂層應(yīng)用的需求，得可已三倍增強其獲獎DirEKt Coat 技術(shù)的工藝能力。DirEKt Coat晶圓涂層工藝達到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的總厚度差 (TTV)，有效地滿足了薄晶圓產(chǎn)品目前和未來的
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身
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得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng) 提高大批量制造超薄晶圓的處理能力
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
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得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提高大批量制造超薄晶圓的處理能力
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸
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臺灣擬向大陸開放液晶面板及半導(dǎo)體投資
據(jù)臺灣媒體報道，我國臺灣地區(qū)“經(jīng)濟部”已經(jīng)初步完成“產(chǎn)業(yè)開放登陸清單”，液晶面板及半導(dǎo)體的先進技術(shù)有望通過專項審查的方式到大陸投資。 報道指出，液晶面板業(yè)開放的十代線以下(不含面板)的技術(shù)，但需要經(jīng)過專
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宏力0.18微米OTP制程成功將尺寸減小2.3倍
專業(yè)半導(dǎo)體代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司日前發(fā)布其最新開發(fā)的0.18微米OTP(一次編程)制程平臺。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省
