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華虹基于中芯0.162微米EEPROM產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)

上海華虹集成電路有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱華虹設(shè)計(jì)）近日宣布，公司基于中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”）0.162微米嵌入式 EEPROM（電可擦除只讀存儲(chǔ)器）工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)的高端非接觸式智能卡芯片成功進(jìn)入量

消費(fèi)電子
2010-02-04

EEPROM 華虹中芯微米
華虹基于中芯0.162微米EEPROM產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)

上海華虹集成電路有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱華虹設(shè)計(jì)）近日宣布，公司基于中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”）0.162微米嵌入式 EEPROM（電可擦除只讀存儲(chǔ)器）工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)的高端非接觸式智能卡芯片成功進(jìn)

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2010-02-03

EEPROM 華虹中芯微米
華虹設(shè)計(jì)基于中芯國(guó)際0.162微米 EEPROM 工藝產(chǎn)品成功進(jìn)入量產(chǎn)

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的智能卡芯片解決方案供應(yīng)商，上海華虹集成電路有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱華虹設(shè)計(jì)）近日宣布，公司基于中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約證交所股份代號(hào)：SMI；香港聯(lián)合交易所股票代碼：0

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2010-02-03

中芯國(guó)際 EEPROM 華虹微米
世界：Q1晶圓出貨季增25%

世界先進(jìn)（5347）昨（29）日舉行法說(shuō)會(huì)，總經(jīng)理方略表示，雖然LCD驅(qū)動(dòng)IC需求強(qiáng)勁，世界首季晶圓出貨量將較上季大增25％，世界Q1晶圓出貨季增25％但因成熟制程價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)及產(chǎn)品組合調(diào)整，第1季平均出貨價(jià)格（ASP）恐較上

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2010-01-30

晶圓驅(qū)動(dòng)IC LCD驅(qū)動(dòng) 微米
上海宏力發(fā)表0.18微米先進(jìn)LDMOS電源管理制程

上海宏力半導(dǎo)體宣布發(fā)表0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45伏特LDMOS電源管理制程。宏力表示，與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智慧電源。

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2010-01-14

SoC 電源管理 LDMOS 微米
宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0。18微米45VLDMOS電源管理制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0。18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45VLDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0。18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電

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2010-01-14

半導(dǎo)體電源管理 LDMOS 微米
宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電

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2010-01-14

半導(dǎo)體電源管理 LDMOS 微米
特許擴(kuò)充Fab7工廠產(chǎn)能：月產(chǎn)能將提升至5萬(wàn)片300mm晶圓

新加坡特許半導(dǎo)體公司近日宣布其Fab7工廠產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目正式進(jìn)入下一階段，F(xiàn)ab7是特許旗下制程工藝最先進(jìn)的工廠。在這一階段的擴(kuò)充計(jì)劃中，公司將為這間工廠添置并安裝新的制造設(shè)備。這些制造設(shè)備可用于300mm晶圓產(chǎn)中6

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2009-12-28

晶圓 FAB 65NM 微米
特許進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充：月產(chǎn)能將提升至5萬(wàn)片300mm晶圓

新加坡特許半導(dǎo)體公司近日宣布其Fab7工廠產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目正式進(jìn)入下一階段，F(xiàn)ab7是特許旗下制程工藝最先進(jìn)的工廠。在這一階段的擴(kuò)充計(jì)劃中，公司將為這間工廠添置并安裝新的制造設(shè)備。這些制造設(shè)備可用于300mm晶圓產(chǎn)中

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2009-12-28

晶圓 FAB 65NM 微米
面板廠擬比照晶圓廠登陸模式項(xiàng)目放行

大陸強(qiáng)力爭(zhēng)取臺(tái)灣液晶面板廠赴大陸投資，12月22日第四次「江陳會(huì)談」剛結(jié)束，第二天，海協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)鄭立中就率陸資企業(yè)團(tuán)參訪中科的友達(dá)，右起為友達(dá)董事長(zhǎng)李焜耀、鄭立中、海基會(huì)副董事長(zhǎng)高孔廉。（本報(bào)資料照片）

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2009-12-28

電信面板廠晶圓廠微米
中高階封測(cè)可望登陸　業(yè)者：幫助有限

（中央社記者張建中新竹27日電）產(chǎn)業(yè)別登陸松綁方向出爐，中高階半導(dǎo)體封裝測(cè)試可望開放登陸，但0.13微米以下制程晶圓制造并未列在這波開放清單。封測(cè)業(yè)者表示，實(shí)際幫助有限。經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥上周召開跨部會(huì)首長(zhǎng)

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2009-12-27

晶圓代工晶圓制造制程技術(shù) 微米
面板中高階封測(cè)登陸　可望放行

經(jīng)濟(jì)部已經(jīng)開完登陸投資松綁跨部會(huì)會(huì)議，面板除個(gè)別廠商在臺(tái)最高技術(shù)禁止登陸外，其余有條件放行；中高階半導(dǎo)體封裝測(cè)試、低階IC設(shè)計(jì)也建議開放；全案已報(bào)請(qǐng)府院做政策定奪。經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥已經(jīng)于上周召開跨部會(huì)首

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2009-12-27

面板廠臺(tái)灣面板 IC設(shè)計(jì) 微米
基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

嵌入式教程
2009-12-27

FPGA RAM CMOS工藝微米
特許旗下芯片廠將完全納入Globalfoundries體系

新加坡半導(dǎo)體廠商特許公司定于今年12月28日從納斯達(dá)克正式退市，目前特許已經(jīng)開始操作與Globalfoundries合并的事宜，這家公司最終將被Globalfoundries完全吞并。特許公司與Globalfoundries的大股東ATIC投資公司12月1

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2009-12-23

芯片廠 GLOBALFOUNDRIES 微米
TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝

TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-16

LED驅(qū)動(dòng) 集成電路工藝 TSMC 微米
臺(tái)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局：面板及半導(dǎo)體有進(jìn)一步開放空間

臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部本月底將召開跨部會(huì)委員會(huì)議，一同檢討現(xiàn)行負(fù)面表列清單。.盡管這場(chǎng)會(huì)議旨在“全面檢討”，但考量現(xiàn)行兩岸經(jīng)貿(mào)分工、產(chǎn)業(yè)競(jìng)合狀況和民間觀感，本次放行項(xiàng)目不會(huì)多。相關(guān)官員表示，本次優(yōu)先松

顯示光電
2009-12-16

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓廠微米
張汝京在紅藍(lán)兩色中搖晃：是非功過(guò)向上帝交賬

張汝京微佝僂著背走進(jìn)中芯花園的服務(wù)中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時(shí)相比，歲月的痕跡毫不留情地出現(xiàn)在他身上，按照他自己的話來(lái)說(shuō)，“這幾年折舊很快”——這當(dāng)然不止是

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-09

中芯國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè) 臺(tái)積電微米
曾繁城：臺(tái)積電運(yùn)營(yíng)明年上半年登峰

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電副董事長(zhǎng)曾繁城2日出席“海西國(guó)際集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”時(shí)表示，臺(tái)積董事長(zhǎng)張忠謀曾預(yù)期2010年運(yùn)營(yíng)會(huì)回到2008年的水平，但從目前接單看來(lái)，有機(jī)會(huì)提前一至二季達(dá)成，透露臺(tái)積電明年上半年

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2009-12-04

半導(dǎo)體先進(jìn)制程臺(tái)積電微米
黑色星期籠罩著中芯國(guó)際

從11月4日到11月10日的一周內(nèi)，中芯國(guó)際發(fā)生了三件大事：1)，與臺(tái)積電的專利糾紛官司打輸，賠了2億美元及近10%的股權(quán);2)，張汝京下課3)，王寧國(guó)重掌CEO。與臺(tái)積電的專利糾紛2003年，中芯已經(jīng)與臺(tái)積電打了一仗，賠了1

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-11-16

中芯國(guó)際臺(tái)積電 CE 微米

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華虹基于中芯0.162微米EEPROM產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)

華虹基于中芯0.162微米EEPROM產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)

華虹設(shè)計(jì)基于中芯國(guó)際0.162微米 EEPROM 工藝產(chǎn)品成功進(jìn)入量產(chǎn)

世界：Q1晶圓出貨季增25%

上海宏力發(fā)表0.18微米先進(jìn)LDMOS電源管理制程

宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0。18微米45VLDMOS電源管理制程

宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

特許擴(kuò)充Fab7工廠產(chǎn)能：月產(chǎn)能將提升至5萬(wàn)片300mm晶圓

特許進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充：月產(chǎn)能將提升至5萬(wàn)片300mm晶圓

面板廠擬比照晶圓廠登陸模式項(xiàng)目放行

中高階封測(cè)可望登陸　業(yè)者：幫助有限

面板中高階封測(cè)登陸　可望放行

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

特許旗下芯片廠將完全納入Globalfoundries體系

TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝

臺(tái)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局：面板及半導(dǎo)體有進(jìn)一步開放空間

張汝京在紅藍(lán)兩色中搖晃：是非功過(guò)向上帝交賬

曾繁城：臺(tái)積電運(yùn)營(yíng)明年上半年登峰

黑色星期籠罩著中芯國(guó)際

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