摘要:在SoC開發(fā)過程中,基于FPGA的原型驗證是一種有效的驗證方法,它不僅能加快SoC的開發(fā),降低SoC應(yīng)用系統(tǒng)的開發(fā)成本,而且提高了流片的成功率。文章主要描述了基于FPGA的SoC原型驗證的設(shè)計與實現(xiàn),針對FPGA基驗證
作為中國本土最大的電子設(shè)計自動化(EDA)軟件工具廠商,華大九天 (HES)近日宣布,通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計公司海思半導(dǎo)體有限公司(HiSilicon Technologies)已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplorer
作為中國本土最大的電子設(shè)計自動化(EDA)軟件工具廠商,華大九天 (HES)近日宣布,通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計公司海思半導(dǎo)體有限公司(HiSilicon Technologies)已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplo
如今,所有SOC都使用掃描結(jié)構(gòu)來檢測設(shè)計中的任何制造缺陷。掃描鏈專為測試而設(shè)計,按串行形式連接芯片的時序元件。由于掃描元件之間缺少組合邏輯,因此這些掃描鏈容易出現(xiàn)保持故障。除了采用小于90納米的技術(shù)外,OCV
關(guān)于時序工具的一些FAE解答:問:你們的工具是否只提供所有輸入輸出管腳完全一致的時序約束?如tsu,th,tco,tpd的約束?如果不同管腳可以有不 同約束值,如何設(shè)置?FAE:我們的工具提供的是時序分析功能,尚未提供時
80C51單片機的上電復(fù)位POR(Power On Reset)實質(zhì)上就是上電延時復(fù)位,也就是在上電延時期間把單片機鎖定在復(fù)位狀態(tài)上。為什么在每次單片機接通電源時,都需要加入一定的延遲時間呢?分析如下。1 上電復(fù)位時序 在
單片機內(nèi)部的時序 單片機執(zhí)行各種操作時,CPU都是嚴(yán)格按照規(guī)定的時間順序完成相關(guān)的工作,這種時間上的先后順序成為時序。 單周期指令的操作時序 雙周期指令的操作時序 時鐘電路 時鐘電路參數(shù): 頻
臺灣工業(yè)技術(shù)研究院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心 (IEK)產(chǎn)業(yè)分析師劉美君表示,若8月底面板跌幅擴(kuò)大,代表面板報價仍未回穩(wěn),仍將持續(xù)下跌;若跌幅縮小,不排除跌勢已近底部。奇美電子執(zhí)行長段行建日前在法人說明會指出,最
摘要:隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的高速發(fā)展,數(shù)據(jù)采集方面的技術(shù)也在不斷地向前發(fā)展,并在信息技術(shù)中占有重要地位,溫度、壓力等參數(shù)在智能家居、工業(yè)控制、智能農(nóng)業(yè)等方面都得到很高的重視,如何實時直觀地采集到溫度成為焦
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
DDR測試技術(shù)與工具
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
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IC封測廠矽格(6257)自結(jié)2011年三月份合并營業(yè)收入為新臺幣3.98億元,較上月增加20%,比較去年同期減少5.3%;累計2011年第一季之營業(yè)額為新臺幣11.14億,比較去年同期增加1.3%,矽格自結(jié)2011年第一季稅前凈利為新
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國
DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐?
在普通方式下其串行通信速率為16.3kbps,而超速工作模式時的速率可達(dá) 142kbps,片內(nèi)16位循環(huán)冗余校驗碼生成器可用于檢測通信的正確性。DS2450是DALLAS公司生產(chǎn)的單總線四通道逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器芯片,它的輸入電壓
摘要:在以SD卡為圖像存儲器件的圖像協(xié)處理器中,基帶芯片和SD卡控制器在速度上的差異經(jīng)常會導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯誤。為解決此問題,設(shè)計了一種可適應(yīng)多種時序情況的DMA控制器。該DMA控制器的狀態(tài)機,一方面對基帶芯片和SD