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奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權遭起訴
作者:Walden C Rhines,Mentor Graphics(EDA設計公司)的董事長及CEO,2008年它的銷售額為7.89億美元。在它的任期中公司的銷售額增長一倍,自1999年以來在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增長率是最快的。在加入Mentor之
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
針對A類接口的讀寫器不能對B類CPU卡進行讀寫的問題,介紹一種可以對3 V的B類卡片進行讀寫的5 V 接觸式IC卡讀寫器,闡述了其硬件電路結構和單片機固件程序,介紹了對其進行操作的簡單上位機軟件。實驗結果表明,該讀寫器結構簡單、性能穩(wěn)定,對研制可同時操作3 V/5 V卡片的AB類接口設備有指導意義。
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑制SRAM的最
據(jù)參加了比利時微納米電子技術研究機構IMEC召開的技術論壇的消息來源透露,與會的各家半導體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。 其中來自
對晶體管制造誤差導致的SRAM工作不穩(wěn)定性,在芯片制造后的測試工序上加以改善的方法,由東京大學研究生院工學系研究科電氣系工學專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導體理工學研究中心(STARC)聯(lián)手開發(fā)成功。該項成
據(jù)參加了比利時微納米電子技術研究機構IMEC召開的技術論壇的消息來源透露,與會的各家半導體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。其中來自半導體
據(jù)參加了比利時微納米電子技術研究機構IMEC召開的技術論壇的消息來源透露,與會的各家半導體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管(以 Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。其中來自半導體
摩爾定律的來歷工作在半導體行業(yè)的人,可說無人不知摩爾定律(Moore's Law)。筆者在手頭一本詞典中對摩爾定律的解釋大致是:Inte1公司的創(chuàng)辦人之一戈登.摩爾(G.Moore)在l965年所作的觀察發(fā)現(xiàn),說集成電路上的元器件數(shù)
圖2.9舉例說明了一個ECL或GAAS射極跟隨器輸出電路。該電路在HI和LO兩個狀態(tài)都有電流流過。對于10KH和10G產(chǎn)品系列,兩者的邏輯HI和LO輸出電壓都是相近的,盡管不同的ECL和GAAS射極耦合邏輯系列在溫度軌跡特性上存在細
脈沖電路是專門用來產(chǎn)生電脈沖和對電脈沖進行放大、變換和整形的電路。家用電器中的定時器、報警器、電子開關、電子鐘表、電子玩具以及電子醫(yī)療器具等,都要用到脈沖電路。 在電子電路中,電源、放大、振蕩和調(diào)制電路