【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。
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在電子電路設(shè)計中,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)憑借其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于各類電路的功率控制與信號切換。當(dāng) MOS 管用于控制電阻分壓電路的關(guān)斷時,有時會出現(xiàn)電壓過沖現(xiàn)象,這不僅可能導(dǎo)致電路中其他元件的損壞,還會影響整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。深入探究 MOS 管控制電阻分壓關(guān)斷時出現(xiàn)過沖的原因,對于優(yōu)化電路設(shè)計、保障電路正常運行具有重要意義。
電子管的優(yōu)點是它的功率損失小,低頻噪聲小,耐受電壓高,穩(wěn)定性好,可靠性高,可以提供較大的輸出電流,而且可以用于高頻的電路。 電子管負(fù)載能力強,線性性能優(yōu)于晶體管,工作頻率高,高頻大功率領(lǐng)域的工作特性要比晶體管更好,在大功率無線電發(fā)射設(shè)備,高頻介質(zhì)加熱設(shè)備方面繼續(xù)發(fā)揮著不可替代的作用。 電子管具有非常高的穩(wěn)定性和可靠性,可以提供更穩(wěn)定的輸出信號。
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在現(xiàn)代電子電路中,金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS 管)憑借其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、低功耗等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各類功率電子設(shè)備,如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等。然而,MOS 管的性能發(fā)揮離不開一個關(guān)鍵的組成部分 —— 門極驅(qū)動電路。這個看似簡單的電路,卻隱藏著諸多影響 MOS 管工作效率和穩(wěn)定性的秘密。
差分放大電路是電子電路中一種重要的電路結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種信號處理和放大領(lǐng)域。電容作為電路中的重要元件,在差分放大電路中發(fā)揮著多種關(guān)鍵作用。這些作用對于提高電路性能、抑制噪聲以及實現(xiàn)信號的有效傳輸與處理至關(guān)重要。
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根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變,從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。
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本文探討了在系統(tǒng)級應(yīng)用中實施熱插拔控制器的優(yōu)勢和好處。熱插拔控制器提供了一種先進(jìn)的解決方案,可無縫插入和拔出電子設(shè)備,確保持續(xù)運行、防止過流并進(jìn)行實時監(jiān)測。通過提供參考設(shè)計,用戶可以更好地了解關(guān)鍵功能,從而增強這些功能的相關(guān)性和重要性。本文重點介紹熱插拔控制器如何提高系統(tǒng)可靠性、最大限度地減少停機時間并保護(hù)敏感設(shè)備,最終優(yōu)化系統(tǒng)性能并降低維護(hù)成本。
在電子學(xué)中,調(diào)節(jié)器是一種能夠不斷調(diào)節(jié)輸出功率的裝置或機構(gòu)。在電源領(lǐng)域有不同種類的穩(wěn)壓器。但主要是,在直流到直流轉(zhuǎn)換的情況下,有兩種類型的穩(wěn)壓器可用:線性或開關(guān)。