柵極

MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？如何提高M(jìn)OSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

一直以來(lái)，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

IGBT功率半導(dǎo)體器件主要參數(shù)

如果正輸入電壓通過(guò)柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會(huì)關(guān)閉電路應(yīng)用。

mos管開(kāi)關(guān)電路原理詳解

D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

三星通過(guò)新思科技設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)多次成功測(cè)試流片

新思科技近日宣布，在雙方的長(zhǎng)期合作中，三星晶圓廠已經(jīng)通過(guò)新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測(cè)試流片，從而更好地推動(dòng)三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)被采用于對(duì)功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應(yīng)用中。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實(shí)...

MOS概述

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。

7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用，不看不知道！

概述：MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器...

MOSFET柵極前?100?Ω?電阻有什么用？

故事開(kāi)始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個(gè)100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師Gureux對(duì)他的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了監(jiān)督，并全程提供專(zhuān)家指導(dǎo)。高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介圖1中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測(cè)示例。圖1高端電...

什么是電子管?電子管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的?

在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)電子管、電子管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的相關(guān)報(bào)道。

關(guān)于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？

學(xué)過(guò)電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個(gè)名字是從英文而來(lái)的。

CPU之布局和物聯(lián)構(gòu)建芯片應(yīng)該怎樣去設(shè)計(jì)

處理器和所有其他數(shù)字邏輯都是由晶體管制成的。晶體管是電子控制開(kāi)關(guān)，我們可以通過(guò)施加或去除柵極電壓來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉。我們討論了兩種主要類(lèi)型的晶體管：nMOS器件在柵極導(dǎo)通時(shí)允許電流，pMOS器件在柵極

如何給運(yùn)動(dòng)控制選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)器，你知道嗎？

你知道如何給運(yùn)動(dòng)控制選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎?工程師們經(jīng)常使用柵極驅(qū)動(dòng)器或“前置驅(qū)動(dòng)器”IC以及n通道功率mosfet來(lái)提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動(dòng)電路、mosfet以及某些情況下相關(guān)的無(wú)源元件相關(guān)的所有設(shè)計(jì)考慮。通常，這個(gè)過(guò)程很難理解，實(shí)現(xiàn)也不是最優(yōu)的。讓我們開(kāi)始討論簡(jiǎn)單的方法來(lái)選擇元件的預(yù)驅(qū)動(dòng)/功率MOSFET電路，并由此產(chǎn)生的系統(tǒng)性能。

如何定義MOS管三個(gè)極以及相關(guān)測(cè)試？

你知道MOS管有三個(gè)極嗎?它有什么作用?今天我們來(lái)看看MOS管的一些干貨，首先MOS管有三個(gè)極：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。

電子管功放的檢修技巧_電子管功放故障排除

　　電子管功放的檢修技巧 　　一、通電前的測(cè)量 　　對(duì)于一部故障機(jī)，通過(guò)了解和觀察，如不能確定故障部位和所在，不可貿(mào)然通電，應(yīng)進(jìn)行如下測(cè)量。 　　1、測(cè)量直流高壓電路與底

電子管收音機(jī)收不到臺(tái)什么原因_快速檢修電子管收音機(jī)

　　電子管收音機(jī)收不到臺(tái)什么原因 　　首先在開(kāi)機(jī)幾分鐘后用手觸摸一下電子管的外表溫度，正常情況下應(yīng)該很熱甚至有些燙手。如溫度和人的體溫接近，說(shuō)明管子沒(méi)有工作。此時(shí)應(yīng)該測(cè)一下有無(wú)直流高壓。

芯片里面100多億晶體管是如何實(shí)現(xiàn)的？看這幾張圖就明白了！

這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見(jiàn)CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式，這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管。 M

點(diǎn)沙成金：Intel處理器制造全過(guò)程揭密

如今能獨(dú)立設(shè)計(jì)、制造尖端半導(dǎo)體芯片的企業(yè)屈指可數(shù)，Intel當(dāng)屬各種翹楚，可以在不超過(guò)一個(gè)指甲蓋大小的面積內(nèi)封裝數(shù)十億個(gè)微小的電子開(kāi)關(guān)。這是人類(lèi)最復(fù)雜的壯舉之一。 最近，Intel特意制作了一段動(dòng)畫(huà)視

什么是柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路？

大家知道什么是柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路嗎?它的工作原理是什么?在脈沖雷達(dá)應(yīng)用中，從發(fā)射到接收操作的過(guò)渡期間需要快速開(kāi)啟/關(guān)閉高功率放大器 (HPA)。典型的轉(zhuǎn)換時(shí)間目標(biāo)可能小于1 s。傳統(tǒng)上，這是通過(guò)漏極控制來(lái)實(shí)現(xiàn)的。漏極控制需要在28 V至50 V的電壓下切換大電流。已知開(kāi)關(guān)功率技術(shù)可以勝任這一任務(wù)，但會(huì)涉及額外的物理尺寸和電路問(wèn)題。在現(xiàn)代相控陣天線開(kāi)發(fā)中，雖然要求盡可能低的SWaP(尺寸重量和功耗)，但希望消除與HPA漏極開(kāi)關(guān)相關(guān)的復(fù)雜問(wèn)題。

美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構(gòu)

美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計(jì)思路，不過(guò)美光與Inte

確定柵極偏置電阻的方法

柵極

;;; 可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，也叫做晶體閘流管）是一種4層的PNPN半導(dǎo)體。其內(nèi)部擁有3組PN結(jié)構(gòu)造。如圖3. 84所示，對(duì)于PNPN結(jié)合的半