爾必達發(fā)布了2011財年第一季度(2011年4~6月)結(jié)算報告。受DRAM價格大幅下滑影響,該公司第一季度仍持續(xù)營業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達指出,即便在困境中還是確保了其領(lǐng)先于競爭對手的技術(shù)優(yōu)勢,并指出了其他競爭公司將被
監(jiān)控基站功率放大器的優(yōu)化方案
隨著由電池供電的便攜式消費類產(chǎn)品的增長,IC芯片的功耗已成為了一個世界性的問題,設(shè)計者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費類產(chǎn)品
隨著由電池供電的便攜式消費類產(chǎn)品的增長,IC芯片的功耗已成為了一個世界性的問題,設(shè)計者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費類產(chǎn)品
在22nm,或許是16nm節(jié)點,我們將需要全新的晶體管。而在這其中,爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中,業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
在22nm,或許是16nm節(jié)點,我們將需要全新的晶體管。而在這其中,爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中,業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
美國應(yīng)用材料公司(AMAT)目前已開始投產(chǎn)用于22nm邏輯IC的柵極絕緣膜ALD(atomic layer deposition)裝置“Centura Integrated Gate Stack”。該裝置的特點是可在同一真空環(huán)境下形成所有高介電率柵極絕緣膜(high-
應(yīng)用材料(Applied Materials)在Semicon West發(fā)布了一套新系統(tǒng),用以制備晶體管最關(guān)鍵的一層,這種晶體管見于邏輯電路。應(yīng)用材料的新工具Centura,用在晶體管上沉積關(guān)鍵的一層,一次只沉積一個原子,這就帶來了前所未
最近一周以來,Chipworks制程分析室的研究人員非常地忙碌,因為已經(jīng)有很長一段時間沒有采用較高級別制程的CMOS產(chǎn)品送到我們的分析室進行分析 了,而最近,我們幾乎在同一時間就一下子收到了兩款這樣的樣品芯片。這兩
透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理 透射電子顯微鏡是以波長極短的電子束作為照明源,用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨率、高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。 There are four main components to a transmission electron mi
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示,到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1],而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理,因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示,到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1],而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理,因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
左為美國SuVolta公司總裁兼首席執(zhí)行官Bruce McWilliams,右為該公司高級市場副總裁兼業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)理Jeff Lewis(點擊放大) 可用于28nm工藝high-k及金屬柵極工藝(點擊放大) 美國SuVolta公司表示,LSI工作速度不
5月4日,英特爾公司美國加州總部宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小的元件。自50多年前硅晶體管發(fā)明以來, 3D結(jié)構(gòu)晶體管史無前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特爾將推出被稱為三柵極(
英特爾最近發(fā)布了22納米三柵極晶體管技術(shù)(參閱電子工程專輯報道:圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管,進入22nm時代),市場研究公司IHS iSuppli認(rèn)為該技術(shù)使得這家世界第一的芯片廠商得以進軍智能手機與多媒體平板市場、同時
業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造,沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝,并且于上周四向全世界表示將在年底進行規(guī)模量產(chǎn),批量投產(chǎn)研發(fā)代號Ivy BRIDGE的22納米英特爾CPU,并在美國展
2011年5月4日,英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件,自50多年前硅晶體管發(fā)明以來,3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱為三柵級(Tri-Gate)
作者:孫昌旭 業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造,沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝,并且于上周四向全世界表示將在年底進行規(guī)模量產(chǎn),批量投產(chǎn)研發(fā)代號Ivy Bridge的22納米英特爾
作為對Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報道,我們搜集了多位業(yè)界觀察家對此的理解和意見,以便大家能在Intel不愿意過早透露22nm三柵技術(shù)較多技術(shù)細節(jié)的情況下能更深入地理解這種技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進行調(diào)整(Intel 2
Intel 宣布將正式量產(chǎn)全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體,再次向宣示其半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,回首半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,首顆電晶體成品非常大,甚以可以用手直接進行組裝,與全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體相較, 1