內(nèi)存業(yè)者南及威剛一致認(rèn)為,動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)市場將缺貨至明年第1季,產(chǎn)品價(jià)格將可持穩(wěn)。 DRAM廠南科表示,海力士(Hynix)對外指出,中國大陸無錫廠12月全面復(fù)工,由此估計(jì),海力士無錫廠明年第1季底或第2季才可
存儲器業(yè)者南科及威剛一致認(rèn)為,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)市場將缺貨至明年第1季,產(chǎn)品價(jià)格將可持穩(wěn)。DRAM廠南科表示,海力士(Hynix)對外指出,中國大陸無錫廠12月全面復(fù)工,由此估計(jì),海力士無錫廠明年第1季底或第2
DRAM大廠SK海力士(Hynix)29日指出,該公司無錫廠預(yù)計(jì)11月恢復(fù)正常運(yùn)轉(zhuǎn),但受部分相關(guān)設(shè)備等因素影響,也可能延遲約一個(gè)月,估將影響該公司第四季出貨量下滑10%-15%;法人及業(yè)界均對第四季DRAM價(jià)格看漲,法人甚至
訊:南韓DRAM大廠SK海力士昨(29)日宣布,9月工安事故停工的無錫廠復(fù)工時(shí)間,可能從原訂11月延后至12月。業(yè)界預(yù)期,未來兩季DRAM仍將短缺,價(jià)格看漲,華亞科、威剛等業(yè)者營運(yùn)持續(xù)看俏。SK海力士昨日公布第3季
Hynix周二表示,預(yù)計(jì)本季度動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片市場將繼續(xù)增長,因來自PC廠商的記憶體存儲需求增加。Hynix是全球第二大記憶體芯片生產(chǎn)商。該公司公布7-9月錄得1.2萬億(兆)韓元(11億美元)營業(yè)利潤,高于湯森
訊:Hynix周二表示,預(yù)計(jì)本季度動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片市場將繼續(xù)增長,因來自PC廠商的記憶體存儲需求增加。Hynix是全球第二大記憶體芯片生產(chǎn)商。該公司公布7-9月錄得1.2萬億(兆)韓元(11億美元)營業(yè)利潤,高于
事項(xiàng)公司2013年1-9月共實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入1.05億元,同比增長8.61%,凈利潤2200萬元,同比下降20.34%,EPS0.26元。主要觀點(diǎn)1.費(fèi)用提升導(dǎo)致盈利下降公司前三季度營業(yè)收入同比增長8.61%,主要原因是公司原有產(chǎn)品訂單增加、新產(chǎn)品開
雖然存儲器廠一致看好第四季DRAM合約價(jià)續(xù)漲,但因終端需求不振,本周現(xiàn)貨價(jià)走跌,今早DDR3 2GB顆粒約為2.05美元,較本波最高2.3美元回檔一成,DDR3 4GB同步下跌,至4美元附近。因海力士中國無錫廠于九月上旬火
雖然存儲器廠一致看好第四季DRAM合約價(jià)續(xù)漲,但因終端需求不振,本周現(xiàn)貨價(jià)走跌,今早DDR3 2GB顆粒約為2.05美元,較本波最高2.3美元回檔一成,DDR3 4GB同步下跌,至4美元附近。因海力士中國無錫廠于九月上旬火警,在
根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場近來歷經(jīng)快速成長,寫下近三年來的利潤率新高記錄。全球DRAM的營運(yùn)利潤率從今年第一季的11%大幅成長,最近在第二季已經(jīng)
DRAM短缺,合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過
DRAM短缺,合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DR
根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場近來歷經(jīng)快速成長,寫下近三年來的利潤率新高記錄。全球DRAM的營運(yùn)利潤率從今年第一季的11%大幅成長,最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來的最高水準(zhǔn)
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價(jià)看漲。集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價(jià)格飆漲,同時(shí)激勵9月
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價(jià)看漲。集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動動態(tài)隨
隨著傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)在NAND flash領(lǐng)域即將達(dá)到極限,存儲器芯片廠商紛紛開始采用3D生產(chǎn)技術(shù)以提高產(chǎn)能。根據(jù)IHS的報(bào)告顯示,到2017年,全球近三分之二(65.2%)的快閃存儲器芯片將采用3D技術(shù),而在2013年這一比
根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于市場預(yù)期SK 海力士中國工廠火災(zāi)事件會減少未來NAND Flash供貨,使得9月下旬合約價(jià)較8月下旬上漲3-6%。從需求面來看,通路端的記憶卡和隨
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,DRAM合約價(jià)格將在10月小幅走高,其中,4GB DDR3模塊價(jià)格漲幅高達(dá)兩位數(shù)。主流4GB DDR3模塊10月合約價(jià)格預(yù)計(jì)將達(dá)到35-38美元。集邦科技已表示,由于受到海力士工廠火災(zāi)影響,九月下半個(gè)月,4GB DDR3模
韓國存儲器廠SK海力士(SK Hynix)無錫廠大火后,等到11月中旬之后才能回復(fù)到火災(zāi)前產(chǎn)能進(jìn)行投片,亦即PC或手機(jī)廠要拿到足夠貨源仍要等到明年。由于SK海力士是大陸多芯片存儲器模塊(MCP)最大供應(yīng)商,現(xiàn)在確定無法在
今天(9月4日)下午3點(diǎn)40左右,無錫新區(qū)錫興路與泰山路東南側(cè)的海力士半導(dǎo)體公司發(fā)生大火。大火產(chǎn)生的濃煙數(shù)十公里外可見,可能涉及有毒化學(xué)品,廠區(qū)周邊氣味刺鼻。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個(gè)半導(dǎo)體