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基于DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
在現(xiàn)代高性能DSP芯片設計中，鎖相環(huán)(PLL)被廣泛用作片內時鐘發(fā)生器，實現(xiàn)相位同步及時鐘倍頻。壓控振蕩器(VCO)作為PLL電路的關鍵模塊，其性能將直接決定PLL的整體工作質量。
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采用CPLD的片內環(huán)形振蕩器的方案設計
采用CPLD的片內環(huán)形振蕩器的方案設計
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CMOS振蕩器設計
1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
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基于CPLD的片內環(huán)形振蕩器的設計方案
基于CPLD的片內環(huán)形振蕩器的設計方案
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IBM瞄準10nm以下工藝
美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導體制造技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確
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IBM確認瞄準10nm以下工藝
美國IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導體制造技術相關國際會議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認了工作情
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IBM采用直徑3nm FET25級環(huán)形振蕩器動作，瞄準10nm以下工藝
美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導體制造技術相關國際會議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認
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DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
本文設計了一種應用于DSP內嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時鐘，每級采用RS觸發(fā)結構來產(chǎn)生差分輸出信號，在有效降低靜態(tài)功耗的同時．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調節(jié)線性度，選擇了合適的翻轉點。 仿真結果表明．電路叮實現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調節(jié)范圍，在中心頻率附近具有很高的調節(jié)線性度，可完全滿足DSP芯片時鐘系統(tǒng)的要求。
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DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
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壓控環(huán)形振蕩器電路圖
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脈沖鍵控環(huán)形振蕩器電路圖
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多諧振蕩器的研究與仿真
摘要：分析了各種多諧振蕩器的電路結構及工作原理，并利用Multisiml0．0對部分電路進行了仿真，重點介紹了單穩(wěn)型多諧振蕩器，討論集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器74121定時元件RC對暫穩(wěn)態(tài)的影響以及單穩(wěn)型多諧振蕩器的應用。Multis
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碳納米管導線扮推手 芯片速度創(chuàng)高峰
碳納米管導線扮推手 芯片速度創(chuàng)高峰
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