一、 前 言: 變頻器在調(diào)試與使用過程中經(jīng)常會遇到各種各樣的問題,其中過電壓現(xiàn)象最為常見。 過電壓產(chǎn)生后,變頻器為了防止內(nèi)部電路損壞,其過電壓保護功能將動作,使變頻器停止運行,導致設備無法正常工作。
通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立,而在開關轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中,上述理論并不成立,因此在實際的應用中會產(chǎn)生一些問題,本文將詳細地論述這些問題,以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立,而在
0 引言電力系統(tǒng)中具有沖擊性(快速變動)功率的負荷會引起電網(wǎng)電壓的波動和閃變,引起許多電工設備不能正常工作.嚴重影響電網(wǎng)的電能質(zhì)量。因此,對電壓波動和閃變的準確測量顯得越來越重要。國際電工委員會(IEC)給出了
特立尼達和多巴哥標準局近日連續(xù)發(fā)布了G/TBT/N/TTO/61、62、63、64、65、66號通報,涉及多種電器,其中: G/TBT/NTTO/66號通報。標題:熒光燈鎮(zhèn)流器。要求覆蓋了與電壓為2500伏或以下的熒光燈一同使用的電阻、電抗,
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近日,真明麗集團在LED照明應用領域的辛勤耕耘喜獲豐收:芬蘭客戶OVERSOL在圣彼得堡港口倉庫安裝使用了440臺真明麗的100W LED工礦燈作為主體照明,替換了原來使用的傳統(tǒng)燈具。 真明麗集團很早就開始布局LED照明領域,
Hi-Rel COTS的T83、低ESR 的TR3和標準工業(yè)級的293D固鉭貼片電容器的額定電壓提高至63V,并可滿足+28V電源的降額要求 Vishay Intertechnology宣布,為滿足客戶+28V電源中的降額要求,Vishay將TANTAMOUNT® H
追求快、穩(wěn)、準的半導體測試設備,提高產(chǎn)品競爭力與獲利能力,是半導體相關業(yè)者共同的目標。一般而言,測試速度快,容易產(chǎn)生測試值不穩(wěn)定與不準確的現(xiàn) 象;想要得到穩(wěn)定且準確的測試值,則測試速度相對會變慢。產(chǎn)品測
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隨著汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,為滿足人們對汽車安全、環(huán)保、節(jié)能及舒適性等要求,車載電子產(chǎn)品的應用越來越普及。由于汽車供電系統(tǒng)的輸出復雜,大電流馬達、電磁閥等元件導致供電電壓輸出經(jīng)常發(fā)生波動,大電壓脈沖或跌
本設計以ARM7微處理器為核心,采用ARM7中的高速A/D為測壓單元,提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?數(shù)據(jù)結果通過LCD實時顯示,顯示方式友好直觀;采用RAM和UART分別存儲和傳輸數(shù)據(jù),實現(xiàn)了監(jiān)測數(shù)據(jù)的長期存儲和與PC的通信傳輸。