電壓

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電壓（voltage），也稱作電勢(shì)差或電位差，是衡量單位電荷在靜電場(chǎng)中由于電勢(shì)不同所產(chǎn)生的能量差的物理量。其大小等于單位正電荷因受電場(chǎng)力作用從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)所做的功，電壓的方向規(guī)定為從高電位指向低電位的方向。電壓的國(guó)際單位制為伏特（V，簡(jiǎn)稱伏），常用的單位還有毫伏（mV）、微伏（μV）、千伏（kV）等。此概念與水位高低所造成的“水壓”相似。需要指出的是，“電壓”一詞一般只用于電路當(dāng)中，“電勢(shì)差”和“電位差”則普遍應(yīng)用于一切電現(xiàn)象當(dāng)中。

  • 基于ARM7的LCD顯示電壓示波系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    本設(shè)計(jì)以ARM7微處理器為核心,采用ARM7中的高速A/D為測(cè)壓?jiǎn)卧?提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?數(shù)據(jù)結(jié)果通過LCD實(shí)時(shí)顯示,顯示方式友好直觀;采用RAM和UART分別存儲(chǔ)和傳輸數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)了監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期存儲(chǔ)和與PC的通信傳輸。

  • 基于新型共基質(zhì)電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光器件

    研究了Liq：Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有機(jī)發(fā)光器件，基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)器件降低了13％而效率卻提高了21％。研究表明通過優(yōu)化混合層的摻雜濃度，可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而提高器件的效率。

  • 小尺寸、表面貼裝1A整流器（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時(shí)間可滿足高頻應(yīng)用的要求。設(shè)計(jì)者可根據(jù)所需，從100V(MUH1PB)、150

  • 小尺寸、表面貼裝1A整流器（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時(shí)間可滿足高頻應(yīng)用的要求。設(shè)計(jì)者可根據(jù)所需，從100V(MUH1PB)、150

  • 基于新型共基質(zhì)電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光器件

    研究了Liq：Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有機(jī)發(fā)光器件，基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)器件降低了13％而效率卻提高了21％。研究表明通過優(yōu)化混合層的摻雜濃度，可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而提高器件的效率。

  • Maxim推出超小尺寸的微處理器監(jiān)控電路

    Maxim推出可監(jiān)控6路電壓的微處理器監(jiān)控電路MAX16055，器件集成了復(fù)位定時(shí)器，無(wú)需外部電容。器件采用3mm x 3mm超小尺寸封裝，理想用于電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、存儲(chǔ)器件、高端打印機(jī)以及計(jì)算機(jī)等多電壓系統(tǒng)中的低壓監(jiān)測(cè)。6路

  • 功率管理：用混合信號(hào)FPGA控制電壓攀升率

    引言(混合信號(hào)FPGA控制多電平系統(tǒng)的電壓攀升率)：隨著工藝尺度不斷縮小，器件常常需要多個(gè)電源。為了減小功耗和最大限度地提高性能，器件的核心部分一般趨向于在低電壓下工作。為了與傳統(tǒng)的器件接口，或與現(xiàn)有的I/O標(biāo)

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    引言(混合信號(hào)FPGA控制多電平系統(tǒng)的電壓攀升率)：隨著工藝尺度不斷縮小，器件常常需要多個(gè)電源。為了減小功耗和最大限度地提高性能，器件的核心部分一般趨向于在低電壓下工作。為了與傳統(tǒng)的器件接口，或與現(xiàn)有的I/O標(biāo)

  • 基于Hilbert變換的電壓凹陷檢測(cè)方法

    電壓凹陷是嚴(yán)重的動(dòng)態(tài)電能質(zhì)量問題之一，補(bǔ)償電壓凹陷能帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益。而實(shí)現(xiàn)電壓凹陷特征量的快速、準(zhǔn)確檢測(cè)是電壓凹陷補(bǔ)償?shù)那疤?，因此電壓凹陷特征量的檢測(cè)方法及補(bǔ)償指令的產(chǎn)生成為目前對(duì)DVR研究的一個(gè)熱點(diǎn)。采用Hilbert變換與后差分相結(jié)合的檢測(cè)方法，首先利用Hilbert變換可對(duì)凹陷電壓信號(hào)的幅值進(jìn)行檢測(cè)，然后采用后差分得到電壓凹陷的起止時(shí)刻，不但提高了檢測(cè)精度，還能實(shí)時(shí)產(chǎn)生電壓補(bǔ)償指令信號(hào)。通過Matlab對(duì)其進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明了該檢測(cè)方法簡(jiǎn)單、快速、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。

  • 中國(guó)對(duì)智能電網(wǎng)的定義

    以物理電網(wǎng)為基礎(chǔ)(中國(guó)的智能電網(wǎng)是以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各電壓等級(jí)電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的堅(jiān)強(qiáng)電網(wǎng)為基礎(chǔ))，將現(xiàn)代先進(jìn)的傳感測(cè)量技術(shù)、通訊技術(shù)、信息技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和控制技術(shù)與物理電網(wǎng)高度集成而形成的新型電

  • IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算

    摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅(qū)動(dòng)

  • 普利司通發(fā)布快速響應(yīng)電子紙

    普利司通日前宣布它將開始提供電子書產(chǎn)品,一種新的電子紙已經(jīng)被發(fā)明出來,它的1.7英寸版電子紙屏幕刷新速度為0.8秒,同時(shí)還提供一個(gè)開發(fā)工具包,可以幫助各種產(chǎn)品開發(fā)者開發(fā)出自己的商品. 普利司通使用最新的電子粉末