摘要:該電路無需使用微控制器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的電流限制。它包括一個(gè)充電泵倍壓器(U1)的,一個(gè)電流檢測放大器(U2樂隊(duì)),和兩個(gè)N溝道MOSFET。該檢測電阻值決定了最大電流限制?! 】捎玫募呻娐房梢宰屇愕某绦?/p>
56款R8C/Lx系列MCU(瑞薩電子)
摘 要:利用LabVIEW虛擬儀器設(shè)計(jì)平臺,提出了基于虛擬儀器的光纖電流感測系統(tǒng)。該光纖電流感測系統(tǒng)利用法拉第效應(yīng)來感測電流所產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度,具有無磁滯、飽和之限制,性能足以滿足電流感測系統(tǒng),適用于大范圍
照明燈具行業(yè)的不斷發(fā)展,LED燈具與傳統(tǒng)燈具不斷的競爭。生產(chǎn)LED與LED燈飾的廠商為數(shù)眾多,不同廠商選用不同品質(zhì)的LED是造成LED燈具不同的重要原因。由于價(jià)格戰(zhàn)日益激烈,外觀、結(jié)構(gòu)、功能幾乎一樣的產(chǎn)品,價(jià)格差異卻
引言 考慮到日益迫近的全球能源危機(jī)和人們對環(huán)境保護(hù)的期望日益增高,節(jié)能對高效無線網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營至關(guān)重要。功率放大器(PA)是基站和中繼器的核心,其功耗可能占基站總功耗的一半。對功率放大器進(jìn)行監(jiān)控不僅可以
引言 考慮到日益迫近的全球能源危機(jī)和人們對環(huán)境保護(hù)的期望日益增高,節(jié)能對高效無線網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營至關(guān)重要。功率放大器(PA)是基站和中繼器的核心,其功耗可能占基站總功耗的一半。對功率放大器進(jìn)行監(jiān)控不僅可以
OTL是英文Output Transformer Less Amplifier的簡稱,是一種無輸出變壓器的功率放大器。 一. OTL電子管功放電路的特點(diǎn) 普通電子管功率放大器的輸出負(fù)載為動(dòng)圈式揚(yáng)聲器,其阻抗非常低,僅為4~16Ω。而一
三色LED在一個(gè)封裝內(nèi)包含了紅、綠和藍(lán)色LED。使用兩個(gè)數(shù)字控制信號,就可以驅(qū)動(dòng)這些LED產(chǎn)生四種顏色。圖1中的電路采用了AnalogDevices公司的ADG854雙模擬1轉(zhuǎn)2多路分離器,可以選擇通過每只LED的電流。 電
參考設(shè)計(jì)為電能表使用MAXQ3180/MAXQ3183 摘要:MAXQ3180和MAXQ3183是多相多功能電能測量的模擬前端與許多先進(jìn)的功率監(jiān)控,如功率因數(shù),矢量和諧波成分特征(外匯局)。計(jì)量精度和電快速瞬變(電匯)是電表設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要
SGZ01是一塊用于漏電保護(hù)器的集成電路.它是將漏電電流的信號與基準(zhǔn)信號相比較,當(dāng)漏電電流的信號超過基準(zhǔn)信號時(shí),放大器則輸出具有一定驅(qū)動(dòng)能力的信號,使被控電路動(dòng)作,切斷用電器的電源.典型應(yīng)用電路如圖所示.
現(xiàn)在,許多消費(fèi)類產(chǎn)品OEM制造商所生產(chǎn)的電子設(shè)備都具有超低待機(jī)功耗,但真正的目標(biāo)還是要盡可能地接近零功耗。Power Integrations新推出的兩款高壓MOSFET可以幫助設(shè)計(jì)師將電路中的耗能元件隔離開,從而達(dá)到優(yōu)化設(shè)
現(xiàn)在,許多消費(fèi)類產(chǎn)品OEM制造商所生產(chǎn)的電子設(shè)備都具有超低待機(jī)功耗,但真正的目標(biāo)還是要盡可能地接近零功耗。Power Integrations新推出的兩款高壓MOSFET可以幫助設(shè)計(jì)師將電路中的耗能元件隔離開,從而達(dá)到優(yōu)化設(shè)
采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計(jì)中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡并態(tài)的問題,且實(shí)現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實(shí)現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進(jìn)行仿真驗(yàn)證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時(shí),基準(zhǔn)電壓擺動(dòng)小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40
采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計(jì)中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡并態(tài)的問題,且實(shí)現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實(shí)現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進(jìn)行仿真驗(yàn)證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時(shí),基準(zhǔn)電壓擺動(dòng)小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40