RF MEMS 移相器具有傳統(tǒng)移相器所無法比擬的體積小、損耗小、成本低、頻帶寬、易于集成等突出優(yōu)點。通過在共面波導信號線上貼敷低介電常數(shù)的薄層絕緣介質,使得MEMS 金屬橋與共面波導信號線在“關”態(tài)下形成MIM 電容的方法,實現(xiàn)了提高“關”“開”兩種狀態(tài)下的電容比,從而提高了單位長度上的相移量。在Ka 波段下,建立90°分布式MEMS 移相器的等效電路,并對其進行了仿真優(yōu)化,達到要求的技術指標。
1 引言 相干布居俘獲CPT(Coherent Population Trapping)是原子與相干光相互作用所產(chǎn)生的一種量子干涉現(xiàn)象。利用高分辨CPT光譜研制出的被動型CPT原子頻標具有體積小、功耗低、啟動快等特點。CPT頻標是原理上唯一能制成
1 引言 相干布居俘獲CPT(Coherent Population Trapping)是原子與相干光相互作用所產(chǎn)生的一種量子干涉現(xiàn)象。利用高分辨CPT光譜研制出的被動型CPT原子頻標具有體積小、功耗低、啟動快等特點。CPT頻標是原理上唯一
移相器廣泛應用于各種電路,但由于在放大器中的偏差以及電容公差,通常很難實現(xiàn)電路精確控制所需的精確移相。圖1中的電路利用AD5227 64步遞增/遞減數(shù)字電位器IC3可以控制輸入到輸出的移相,并替換電阻值。計算輸出
本文對BST薄膜移相器的設計模型進行研究分析,提出了一種新型的電路結構,在BST材料移相器的大移相量和盡可能低的損耗一對矛盾中找到一個平衡點。