納米

中微5納米等離子體刻蝕機(jī)很棒 但造芯片只是\"配角\"

近來(lái)有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評(píng)論說(shuō)“中國(guó)芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖，第一次占領(lǐng)世界制高點(diǎn)”“中國(guó)彎道超車”等等。

14納米被寫(xiě)入上海政府工作報(bào)告：今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

1月27日，上海市第十五屆人民代表大會(huì)第二次會(huì)議正式開(kāi)幕，上海市市長(zhǎng)應(yīng)勇作政府工作報(bào)告，報(bào)告中回顧了2018年上海市的發(fā)展?fàn)顩r，并對(duì)2019年的重點(diǎn)工作及任務(wù)作出規(guī)劃。上海市作為全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)重要集聚區(qū)，其2019年政府工作報(bào)告中多處提及集成電路。

德儀創(chuàng)新芯片材料技術(shù)突領(lǐng)跑45 納米工藝技術(shù)

IBM已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM芯片

ARM針對(duì)臺(tái)積電28納米HPM和16納米FinFET工藝技術(shù)發(fā)布Cortex-A50系列POP IP

飛利浦推出90納米32位微控制器工作電壓低

飛思卡爾90納米ColdFire+混合信號(hào)微控制器解決方案加快設(shè)計(jì)創(chuàng)新

3D打印設(shè)備市場(chǎng)需求激增工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)應(yīng)用潛力巨大

3D打印作為具有代表性的前沿技術(shù)之一，其在多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用狀況一直受到世界各國(guó)的高度關(guān)注。近幾年，在世界各國(guó)的共同推動(dòng)下，3D打印前沿技術(shù)研發(fā)速度不斷加快，這些技術(shù)在各行業(yè)的應(yīng)用程度也日益深入。目前，3D打印的應(yīng)用場(chǎng)景已經(jīng)從工藝品設(shè)計(jì)、文物修復(fù)拓展至工業(yè)制造、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，并為相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展提供了有力的技術(shù)支撐。

MIT研究人員已掌握納米級(jí)內(nèi)爆制造工藝 結(jié)構(gòu)體積可縮至1/1000

雖然還不能讓人類像“蟻人”或“黃蜂女”那樣縮小，但麻省理工的研究人員們，已經(jīng)掌握了納米級(jí)的“內(nèi)爆制造”(Implosion Fabrication)工藝，可以“打印”出各種常見(jiàn)形狀的微型版本。據(jù)悉，負(fù)責(zé)該項(xiàng)目的 MIT 團(tuán)隊(duì)，發(fā)明了一種捕捉物體形狀并進(jìn)行復(fù)制的方法，可在將它干燥后進(jìn)一步縮小至納米級(jí)。

Altera與臺(tái)積宣布在55納米嵌入式閃存工藝技術(shù)領(lǐng)域合作

英特爾將推出14納米處理器芯片Broadwell

深圳先進(jìn)院成功制備三維黑磷超級(jí)電容器

近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院研究員喻學(xué)鋒課題組在黑磷電化學(xué)制備及其儲(chǔ)能應(yīng)用領(lǐng)域取得新突破。相關(guān)工作\"Synthesis of High-Quality Black Phosphorus Sponges for All-Solid-State Supercapacitor\"(《高質(zhì)量黑磷海綿的制備及其在全固態(tài)超級(jí)電容器中的應(yīng)用》)發(fā)表于化學(xué)材料領(lǐng)域刊物Materials Horizons(DOI: 10.1039/c8mh00708j)。論文共同第一作者是課題組博士后溫敏和研究助理劉丹妮，通訊作者

以TalusVortex和TalusVortexFX解決32/28納米IC實(shí)現(xiàn)問(wèn)題

NVIDIA公布未來(lái)繪圖芯片路線圖 臺(tái)積電7納米仍是主要供應(yīng)商

日前才正式發(fā)表新一代顯示卡的繪圖芯片大廠輝達(dá) (NVIDIA)，日前又公告未來(lái)繪圖芯片的發(fā)展路線圖。其中，針對(duì)再下一代的代號(hào) Ampere 的顯示卡，除了制程將升級(jí)到 7 納米節(jié)點(diǎn)之外，雖然性能還是未知數(shù)，但是藉由 7 納米制程技術(shù)將會(huì)把繪圖芯片的芯片核心面積大幅降低，從現(xiàn)在 754㎜2 的 GV102 或者 TU102 的核心面積，將降低到 440㎜2 左右的核心面積。

基于TalusVortexFX的32/28納米節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)方案

硅基的量子器件和納米器件

前者理論是清楚的，但從器件發(fā)展到電路，所需的技術(shù)仍處于發(fā)展之中，要進(jìn)入到比較普遍的應(yīng)用估計(jì)仍需一二十年的時(shí)間。至于納米器件，目前多以原子和分子自組裝技術(shù)與微電子超深亞微米加工技術(shù)相結(jié)合的方法進(jìn)行，特別

萊迪思推出業(yè)界首個(gè)真正的90納米非易失FPGA器件

萊迪思半導(dǎo)體公司日前公布了其第三代非易失FPGA器件，LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增強(qiáng)的性能，雙倍增加的邏輯容量達(dá)40K查找表（LUT）、性能改進(jìn)了25%、還加入了專用DSP塊，而每個(gè)功能的價(jià)格減少達(dá)50%。對(duì)1.2伏加

Synopsys發(fā)布DFM新系列產(chǎn)品解決45納米及以下工藝相關(guān)變異問(wèn)題

Synopsys推出了具備工藝識(shí)別功能的可制造性設(shè)計(jì)(DFM)新系列產(chǎn)品PA－DFM，用于分析45納米及以下工藝定制/模擬設(shè)計(jì)階段的工藝變異的影響。隨著工藝尺寸的日益減小，先進(jìn)硅技術(shù)將引起更多如應(yīng)力工程的變異問(wèn)題，這將越來(lái)

萊迪思半導(dǎo)體發(fā)布業(yè)界首個(gè)真正的90納米非易失FPGA系列LatticeXP2

萊迪思半導(dǎo)體公司公布了其第三代非易失FPGA器件，LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增強(qiáng)的性能，雙倍增加的邏輯容量達(dá)40K查找表（LUT）、性能改進(jìn)了25%、還加入了專用DSP塊，而每個(gè)功能的價(jià)格減少達(dá)50%。對(duì)1.2伏加工工

爾必達(dá)擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

北京時(shí)間10月8日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，日本最大閃存芯片制造商爾必達(dá)表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達(dá)到公司芯片總產(chǎn)量的一半。爾必達(dá)發(fā)言人表示，公司計(jì)劃今年開(kāi)始大