極快和低損耗的開(kāi)關(guān)非常適合數(shù)據(jù)中心、樓宇自動(dòng)化和其他高功率電子應(yīng)用
共178款產(chǎn)品,有助眾多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化、更低功耗和更高可靠性
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如碳化硅肖特基二極管。
新產(chǎn)品通過(guò)汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)-Q101認(rèn)證,旨在幫助電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現(xiàn)最高水平的可靠性和耐用性
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車(chē)載系統(tǒng),開(kāi)發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢(shì)壘二極管※2(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極