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新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢壘二極管提供更快的開關和更高的效率
極快和低損耗的開關非常適合數(shù)據(jù)中心、樓宇自動化和其他高功率電子應用
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在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進一步壯大
共178款產(chǎn)品，有助眾多應用實現(xiàn)小型化、更低功耗和更高可靠性
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快來了解Microchip的SiC汽車功率器件，你知道嗎？
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如碳化硅肖特基二極管。
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Microchip 推出汽車用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管
新產(chǎn)品通過汽車電子委員會(AEC)-Q101認證，旨在幫助電動汽車實現(xiàn)最高水平的可靠性和耐用性
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ROHM面向車載系統(tǒng)開發(fā)出200V耐壓肖特基勢壘二極管“RBxx8BM/NS200”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)，面向包括xEV在內(nèi)的動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)，開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極
