近日,俄媒報(bào)道俄羅斯自主芯片企業(yè)貝加爾電子(Baikal Electronics)在受到西方制裁之后舉步維艱,其封裝的處理器良品率只有不到50%,知情人士稱,貝加爾電子超過一半的芯片都是瑕疵品,原因一是相關(guān)設(shè)備還需要正確調(diào)校,二是芯片封裝工人技能不足。
HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能(AI)芯片,據(jù)業(yè)界消息,英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠商提出挑戰(zhàn),因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品,HBM的良率明顯較低。
韓國(guó)媒體最新報(bào)導(dǎo),三星的 3nm、4nm 制程工藝良率已從年初的大約五成迅速提升至 60% 和 75%,更先進(jìn)的 2nm 制程也在加急與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),晶圓代工事業(yè)不斷追趕臺(tái)積電,后續(xù)將準(zhǔn)備搶臺(tái)積電的先進(jìn)制程訂單。
據(jù) 21ic 業(yè)內(nèi)獲悉,近日三星的晶圓代工事業(yè) 4nm 制程工藝良率提升較為明顯,韓國(guó)媒體報(bào)道其良率已經(jīng)接近臺(tái)積電。據(jù)稱該信息已經(jīng)引起蘋果在內(nèi)部會(huì)議中的關(guān)注,鑒于三星的的優(yōu)惠價(jià)格以及目前臺(tái)積電的訂單壟斷,蘋果或?qū)⒖紤]將部分晶圓代工訂單轉(zhuǎn)單三星。
據(jù) 21ic 信息報(bào)道,臺(tái)積電的第一代 3nm 工藝(N3)仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)制程工藝,在去年最后的幾天在南科廠正式投入開始商業(yè)量產(chǎn),隨后產(chǎn)能在不斷提升。有報(bào)道稱已經(jīng)量產(chǎn)了一個(gè)季度的臺(tái)積電 3nm(N3)制程工藝目前的良率約為 63%,正在追趕自家 4nm 良率。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,上周臺(tái)積電在南部科學(xué)園區(qū)晶圓18廠新建工程基地舉行3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示,目前3nm良率與5nm量產(chǎn)同期相當(dāng)并大量排產(chǎn),而且市場(chǎng)需求非常強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)每年帶來(lái)的收入都會(huì)大于同期的5nm。
臺(tái)積電已經(jīng)確認(rèn)會(huì)在 9 月份量產(chǎn) 3nm 工藝,初期良品率優(yōu)于 5nm,首批 3nm 產(chǎn)能不出意外的話就是蘋果 M2 Pro 和英特爾瓜分,但初期產(chǎn)能不會(huì)太多。
前不久有傳聞稱三星7nm EUV工藝良率不行,導(dǎo)致客戶的5G芯片全部報(bào)廢,此事鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng),還上了微博熱搜,隨后三星官方發(fā)表聲明否認(rèn)相關(guān)爆料,表示內(nèi)容與事實(shí)完全不符。 三星方面表示,三星Foundry