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金士頓已確定新品DRAM內(nèi)存條采用2GB的鎂光DRAM顆粒
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，全球最大的獨(dú)立內(nèi)存產(chǎn)品制造商金士頓工廠已確定規(guī)劃了DRAM新品，這顆內(nèi)存條將采用2GB的鎂光DRAM顆粒。金士頓采用鎂光2GB DRAM顆粒制造新品，與鎂光繼續(xù)保持長期合作伙伴關(guān)系。金士頓與鎂光本次合作的2GB價格與1GB顆粒內(nèi)存條相同，相當(dāng)于金士頓制作16GB的單片DDR4(8顆2GB DRAM顆粒)內(nèi)存條，實際的成本可能與8GB的單片DDR4差不多，大大提升了性價比。
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鎂光公然訴訟聯(lián)電竊取機(jī)密，估計價值達(dá)87.5億美元
自美國將福建晉華納入“實體清單”以來，聯(lián)電、晉華以及美光關(guān)于DRAM專利技術(shù)之爭就備受關(guān)注，而這也被認(rèn)為是美國禁售的重要原因。隨后美國司法部也對晉華、聯(lián)電以及三名個人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊
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【新聞早報】保時捷將停產(chǎn)柴油車，“光纖之父”高錕離世；英偉達(dá)公布圖靈架構(gòu)SDK開發(fā)包
保時捷將停產(chǎn)柴油車 明年推出純電動車9月24日消息，大眾汽車旗下頂級跑車品牌保時捷將不再銷售柴油汽車，轉(zhuǎn)而將重心放到混合動力和純電動汽車上。保時捷首席執(zhí)行官Oliver Blume接受采訪時表示，由于
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閃存市場將發(fā)生巨變 3D NAND走上舞臺3D
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
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鎂光3D 閃存芯片讓手機(jī)容量更大
鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
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Intel與鎂光推出新技術(shù)Optane，將現(xiàn)有閃存速度提高1000倍
據(jù)悉，英特爾和美光計劃在2017年發(fā)布超高速內(nèi)存新技術(shù)Optane，該技術(shù)或?qū)⒆孧acBook的存儲速度飆升千倍。據(jù)介紹，Optane使用了3D Xpoint技術(shù)，據(jù)說可以將存儲速度提高1000倍，而且它的耐用性也會比普通閃存更高。這是
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Intel-鎂光公布25nm NAND細(xì)節(jié) 采用Airgap技術(shù)
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap(空氣隙型介電層
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2013年前20大半導(dǎo)體供應(yīng)商排名
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli公司最新報道，2013年半導(dǎo)體供應(yīng)商排名如表1所示：在此需要說明一下，IHS所追蹤的公司里面沒有純晶圓代工企業(yè)，所以臺積電和格羅方德沒有出現(xiàn)在該名單中。從中我們還是可以看出2013年半導(dǎo)體業(yè)的
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未來閃存價格趨勢大預(yù)測
閃存的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)邁入了一個新的臺階，比如堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內(nèi)成為閃存芯片市場上的主流方案。等到這些技術(shù)的量產(chǎn)，能在一定程度上降低閃存價格，同時隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，人們對于閃存的需求也促進(jìn)
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未來閃存價格趨勢大預(yù)測
訊：閃存的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)邁入了一個新的臺階，比如堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內(nèi)成為閃存芯片市場上的主流方案。等到這些技術(shù)的量產(chǎn)，能在一定程度上降低閃存價格，同時隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，人們對于閃存的
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鎂光20億美元完成爾必達(dá)收購
本周三鎂光科技有限公司(Micron Technology)正式宣布完成對日本公司爾必達(dá)的收購工作，已經(jīng)關(guān)閉了美國爾必達(dá)100%的股份，這筆交易自去年7月開始，總成交金額超過$20 億，因此鎂光已經(jīng)成為全球最大的iPad，iPhone和Ne
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森集光電虛假承諾建25億LED產(chǎn)業(yè)園 老板跑路被抓
高科技光電企業(yè)、巨額投資……在鎂光燈下，“森集光電”一度無比耀眼。這公司曾號稱要投資25億元，在蕪湖打造擁有國際最領(lǐng)先技術(shù)的LED高科技集群產(chǎn)業(yè)園，然而該公司拿地后卻一直未開建，7月18日該公司老總李某某因涉
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安徽森集光電老板涉嫌抽逃出資“跑路”被抓
高科技光電企業(yè)、巨額投資……在鎂光燈下，“森集光電”一度無比耀眼。這公司曾號稱要投資25億元，在蕪湖打造擁有國際最領(lǐng)先技術(shù)的LED高科技集群產(chǎn)業(yè)園，然而該公司拿地后卻一直未開建，7月18日該公司老總李某某因涉
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鎂光開始樣產(chǎn)SSD用16nm閃存芯片
閃存行業(yè)的制程競賽又到達(dá)了另一個里程碑。鎂光表示，該公司已經(jīng)開始樣產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小的128Gb(16GB)MLC閃存芯片。該芯片采用16nm的制程技術(shù)，比該公司的20nm工藝更加精細(xì)。鎂光聲稱，對于任何樣產(chǎn)的半導(dǎo)體裝置來說，該16
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CCD時代將被CMOS終結(jié)？
近日，鎂光139芯片coms板機(jī)缺貨問題一度讓深圳中小型企業(yè)頭疼，并成為監(jiān)控行業(yè)炙手可熱的話題。近年來，CCD和CMOS為爭奪感光芯片市場份額一直暗暗較量著，而近日的“139芯片”風(fēng)波使兩者的較量進(jìn)入白熱化階
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存
閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比
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美光獲得收購爾必達(dá)單獨(dú)談判權(quán)
據(jù)知情人士透露，鎂光科技（Micron Technology）在同意出資超過2000億日元（約合25億美元）收購日本爾必達(dá)記憶體公司（ELPIDA Memory）后，贏得與該公司的單獨(dú)談判權(quán)。這位知情人士還說，針對爾必達(dá)的最后一輪收購競
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15億美元 鎂光為收購爾必達(dá)須付貴價格
爾必達(dá)有天過得不爽了，決定破產(chǎn)想找個好人嫁了，除了傾慕已久的鎂光之外，據(jù)悉已有東芝和GF半導(dǎo)體加入這場爭奪戰(zhàn)中。鎂光要想“娶得美人歸”，一筆高昂的彩禮是少不了的，具體數(shù)目在13億到15億美元之間。
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Intel公司人士異動加劇外界對Intel鎂光合作前景的負(fù)面猜疑
幾天前Intel閃存領(lǐng)域的合作伙伴鎂光公司的CEO曾透露稱，Intel將不會對兩者合資的IMFS公司新設(shè)在新加坡的閃存芯片廠進(jìn)行投資。而最近又有消息傳來稱Intel公司亞太地區(qū)嵌入式產(chǎn)品行銷及超移動產(chǎn)品集團(tuán)業(yè)務(wù)總監(jiān)陳武宏已
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Intel-鎂光公布25nm NAND細(xì)節(jié) 采用Airgap技術(shù)
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap（空氣隙型介電層）技術(shù)商用化的產(chǎn)品。當(dāng)初IBM用來解釋Airg
