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基于浮柵技術(shù)的閃存
基于浮柵技術(shù)的閃存
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疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計與研究
摘要：通過分析設(shè)計，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應(yīng)的作用。模擬軟件MEDICI仿真結(jié)果驗證了理論分析的預(yù)言，從而表明該結(jié)構(gòu)可用作射
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施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門電路有一個閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個閾值電壓，分別稱為
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IGBT及其子器件的幾種失效模式
摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷
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基于CMOS閾值電壓的基準電路設(shè)計
摘要：在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設(shè)計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個獨立于電
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單片弛張振蕩器的溫度補償方法
本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補償方案，可以簡單方便地獲得更好的溫度性能。
