閾值電壓

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基于浮柵技術(shù)的閃存

基于浮柵技術(shù)的閃存

嵌入式教程
2010-10-18

AD 閾值電壓編程 BSP
疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究

摘要：通過分析設(shè)計(jì)，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個(gè)電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應(yīng)的作用。模擬軟件MEDICI仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的預(yù)言，從而表明該結(jié)構(gòu)可用作射

功率器件
2010-09-10

電容 MOSFETS 閾值電壓 BSP
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用

我們知道，門電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為

模擬
2010-06-06

集成電平施密特觸發(fā)器閾值電壓
IGBT及其子器件的幾種失效模式

摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。關(guān)鍵詞：柵擊穿閾值電壓漂移積累損傷

功率器件
2010-02-12

器件 IGBT 閾值電壓 BSP
基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

摘要：在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個(gè)獨(dú)立于電

模擬
2009-07-06

電路設(shè)計(jì) 基準(zhǔn)電路 CMOS 閾值電壓
單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法

本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案，可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。

模擬
2006-10-25

振蕩器電容器溫度補(bǔ)償閾值電壓

閾值電壓

基于浮柵技術(shù)的閃存

疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究

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單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法

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