-
電壓比較器的輸出電壓怎么算
電壓比較器是一種電路元件，它可以將兩個(gè)輸入電壓進(jìn)行比較，輸出與這兩個(gè)輸入電壓之間的關(guān)系相關(guān)的電信號(hào)。具體來說，如果第一個(gè)輸入電壓大于第二個(gè)輸入電壓，電壓比較器將輸出高電平信號(hào);反之，如果第二個(gè)輸入電壓大于第一個(gè)輸入電壓，則輸出低電平信號(hào)。
-
一種新型低壓上電復(fù)位電路設(shè)計(jì)
摘 要：基于0.18 mm工藝設(shè)計(jì)了一種可集成到低電源電壓數(shù)字IC或數(shù)?；旌螴C的上電復(fù)位電路。該P(yáng)OR(Power On Reset)具有電源上電和掉電檢測(cè)功能，且對(duì)電源上電的速度不敏感，故可通過使用遲滯比較器實(shí)現(xiàn)對(duì)電源噪聲的免疫。corner 仿真結(jié)果表明，該電路可以實(shí)現(xiàn)大于100 ms的延時(shí)。相比于傳統(tǒng)POR,該電路工作電壓低、性能可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
-
閾值電壓和關(guān)斷電壓
閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，零點(diǎn)五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。
-
閾值電壓與溝道長(zhǎng)度的關(guān)系
閾值電壓 (Threshold voltage)：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
-
閾值電壓怎么看
閾值電壓通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。
-
閾值電壓大好還是小好
閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，零點(diǎn)五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。
-
閾值電壓的影響因素
閾值電壓 (Threshold voltage)：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
-
閾值電壓是什么意思
閾值電壓通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。
-
一種高精度低功耗的 BiCMOS 過溫保護(hù)電路
摘 要 ：基于 UMC0.25 μm BCD 工藝，設(shè)計(jì)了一種高精度低溫漂的過溫保護(hù)電路。相對(duì)傳統(tǒng)電壓比較器結(jié)構(gòu)的過溫保護(hù)電路，無電壓比較器結(jié)構(gòu)的過溫保護(hù)電路利用雙極型晶體管的溫度特性和閾值電壓來檢測(cè)芯片內(nèi)部溫度和控制芯片的關(guān)斷。當(dāng)芯片內(nèi)部溫度高于系統(tǒng)設(shè)定值時(shí)，過溫保護(hù)電路輸出高電平并且關(guān)斷芯片其他模塊，實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)功能。利用 Cadence 和 Hspice 仿真軟件對(duì)過溫保護(hù)電路進(jìn)行驗(yàn)證分析。仿真結(jié)果表明 ：在電源電壓為 5 V， 且芯片工作溫度上升過程中，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度高于 100.02 ℃時(shí)，過溫保護(hù)電路輸出高電平，芯片系統(tǒng)被過溫保護(hù)
-
克服嵌入式CPU性能瓶頸
過去幾年，采用多線程或多內(nèi)核CPU的微處理器架構(gòu)有了長(zhǎng)足的發(fā)展?，F(xiàn)在它們已經(jīng)成為臺(tái)式電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置，并且在高端嵌入式市場(chǎng)的CPU中也已非常普及。這種發(fā)展是想要獲得更高性能的處理器設(shè)計(jì)師推動(dòng)的結(jié)果。但硅片技術(shù)
-
三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問題設(shè)計(jì)方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問題，因?yàn)樗矐B(tài)過程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅(qū)動(dòng)電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。 但是
-
用一只六反相器IC做出四種測(cè)試件
本設(shè)計(jì)實(shí)例描述了一種簡(jiǎn)單的方法，可以用一只無緩沖CMOS六反相器HD14069UB(參考文獻(xiàn)1)，做出四種測(cè)試件：一個(gè)有良好定義邏輯電壓窗口的邏輯筆，輸入阻抗約為1MΩ；一個(gè)開路測(cè)試儀，上限電阻可以從幾十歐到幾十兆
-
功率管理技術(shù)介紹
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng)，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問題，設(shè)計(jì)者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
-
基于浮柵技術(shù)的閃存介紹
基于浮柵技術(shù)的閃存介紹
-
如何突破EDA功率的瓶頸
要點(diǎn):1,雖然每個(gè)小組可以優(yōu)化局部功耗，但單個(gè)團(tuán)隊(duì)不可能創(chuàng)建出一個(gè)低功耗設(shè)計(jì)。反之，任何一個(gè)小組都可能摧毀這種努力。2,功率估計(jì)是一種精確的科學(xué)。但是，只有當(dāng)你擁有了一個(gè)完整設(shè)計(jì)和一組正確的矢量后，這種概念
-
施密特觸發(fā)器原理分析及其應(yīng)用
我們知道，門電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為
-
Intel近閾值電壓CPU可用太陽能驅(qū)動(dòng)
相信不少玩家也都記得，Intel在去年9月于舊金山舉行的IDF上展示了一顆能用太陽能電池驅(qū)動(dòng)的超低功耗處理器。本周IEEE召開的半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議ISSCC 2012上Intel正式公布了這一CPU的技術(shù)細(xì)節(jié)。除3D Tri-Gate晶體管外，IS
-
基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
-
功率管理優(yōu)化功率的實(shí)現(xiàn)
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng)，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問題，設(shè)計(jì)者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
-
功率管理優(yōu)化功率的實(shí)現(xiàn)
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng)，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問題，設(shè)計(jì)者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
