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照明產(chǎn)品采用HV LED比重持續(xù)拉升，晶電中高電壓LED占比約10%
LED照明應(yīng)用逐步成熟，為了持續(xù)降低LED照明產(chǎn)品成本，廠商透過采用HV LED簡化電源模組設(shè)計的趨勢確立。根據(jù)臺灣LED晶片廠晶電的說法，許多商用照明與路燈都已采用HV LED元件，晶電也看好HV LED未來在照明市
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國內(nèi)自主研發(fā)最高壓IGBT芯片及模塊面世 上半年投產(chǎn)
近日，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損
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國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功
今天，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損
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2013年國網(wǎng)招標(biāo)數(shù)據(jù)出爐一次設(shè)備招標(biāo)量呈現(xiàn)“U”字
截至12月20日，國家電網(wǎng)公司（以下簡稱“國網(wǎng)”）已完成了2013年的所有招標(biāo)。與往年一樣，本年度國網(wǎng)共進行了6次集中招標(biāo)，根據(jù)記者對招標(biāo)情況的統(tǒng)計：一次設(shè)備方面，全年招標(biāo)總量與去年基本持平；二次設(shè)備
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國內(nèi)首臺550kV柱式復(fù)合套管斷路研制成功
12月13日從平高集團獲悉，國內(nèi)首臺550kV柱式復(fù)合套管斷路器日前由該集團研制成功。為完全掌握高電壓等級復(fù)合套管斷路器核心技術(shù)、搶占行業(yè)制高點、打破國外企業(yè)的技術(shù)壟斷，平高集團于2012年6月立項啟動LW10B-550(F)
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解密超敏感觸控IC芯片的四大練成術(shù)
在OS系統(tǒng)、UI界面以及機器外觀，都雷同、重復(fù)、相似的情況下，對于很多高端機型來說，在觸摸屏上實現(xiàn)不同的功能，就成了另一種區(qū)隔市場，或突顯機器特色的方式之一。所以市場上，就出現(xiàn)了各種新的觸控名詞出來，什么
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鋰離子電池正極材料年產(chǎn)將達6000噸
近日，依托北大先行科技產(chǎn)業(yè)有限公司建設(shè)的“北京市動力鋰離子電池工程技術(shù)研究中心”經(jīng)過一年的技術(shù)攻關(guān)，掌握了低電壓電池正極材料磷酸鐵錳鋰的中試技術(shù)工藝路
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LED模組化 提供不一樣的光效和光品質(zhì)
LED照明產(chǎn)業(yè)一直備受關(guān)注，歷經(jīng)數(shù)年的爆發(fā)式發(fā)展伴隨著的也是各種質(zhì)疑聲。行業(yè)里存在的產(chǎn)能過剩、標(biāo)準(zhǔn)缺失、核心技術(shù)匱乏、產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊等問題一直被業(yè)內(nèi)詬病。那么，行業(yè)究竟面臨著怎樣的現(xiàn)狀，
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ULN2003 驅(qū)動繼電器的資料哪里有? 有沒有完美的替換型號?
ULN2003 驅(qū)動繼電器的資料哪里有? 有沒有完美的替換型號?完美談不上,但是優(yōu)勢替代型號倒是有,X2003是一個單片高電壓、高電流的達林頓晶體管陣列集成電路。它是由7對NPN達林頓管組成的，它的高電壓輸出特性和陰極箝位
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晶電HVLED產(chǎn)品開花結(jié)果 單月出貨成長倍增
LED照明應(yīng)用成熟，臺灣LED晶片廠晶電研發(fā)HVLED也逐步開花結(jié)果，具有面積小、散熱能力佳，以及over-drive的能力較佳優(yōu)勢，并且可以降低driver IC的成本，晶電透露，目前已有多個專案采用HVLED產(chǎn)品，HVLED 20
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晶電HV LED產(chǎn)品面積小、散熱佳單月出貨成長倍增
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 LED照明應(yīng)用成熟，臺灣LED晶片廠晶電研發(fā)HVLED也逐步開花結(jié)果，具有面積小、散熱能力佳，以及over-drive的能力較佳優(yōu)勢，并且可以降低driver IC的成本，晶電透露，目前已有多個專案采用
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美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率
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Linear 推出通用型 250mA 高電壓降壓-升壓型充電泵 LTC3245
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用型 250mA 高電壓降壓-升壓型充電泵 LTC3245 的新型高可靠性 MP 級、較寬溫度范圍版本。MP 等級器件具有 -55°C
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可以輸入±100V共模電壓的高電壓輸入差動放大器
可以輸入±100V共模電壓的高電壓輸入差動放大器
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日本半導(dǎo)體聯(lián)手搶攻功率電子元件市場
隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高;市場研究機構(gòu) IHS 指出，來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器(PV)以及工業(yè)馬達驅(qū)動器等的需求，預(yù)期可在接下來十年讓新興的碳化矽
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線性高電壓穩(wěn)壓器的制作
一、本設(shè)計的特點●輸出電壓范圍在0~500V之間可調(diào)，輸出電流最大1A.●可以用于電子管前置放大器或(單端)功率放大器?！駜?nèi)置加電后輸出電壓延遲功能(30s)。●可選用3種調(diào)整管
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緩沖基準(zhǔn)電源
該緩沖基準(zhǔn)（用于1.23V或更高電壓）使用電壓大于3V的電源電壓。
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巨頭布局動力電池材料 鋰電市場啟動在即
6月28日，第四屆歐洲車載動力鋰電池會議(AABC Europe)于2013年6月24至28日在法國斯特拉斯堡市國際會議中心成功召開。目前全球動力電池巨頭的動態(tài)，你可以通過我們的獨家報
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羅姆開發(fā)出同時實現(xiàn)業(yè)界最高電壓與低電阻的EDLC并量產(chǎn)
21ic訊 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出輕薄型高輸出的雙電層電容器(Electric Double Layer Capacitor：EDLC)。本產(chǎn)品在2.7V的基礎(chǔ)上，成功實現(xiàn)了業(yè)界最高※的電壓(3.0V)。另外，通過減少各種電阻
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世界最高電壓等級直流輸電工程首次過負荷試驗
6月18日，世界最高電壓等級直流輸電工程、±800千伏特高壓直流復(fù)奉線在重慶及沿線其它地區(qū)開展投運3年來的第一次過負荷試驗，試驗中線路輸送功率達到704萬千瓦，為最大設(shè)計負荷640萬千瓦的1.1倍，充分檢驗了該
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