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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM
根據(jù)國外科技媒體報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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英特爾否認求助臺積電的傳言
英特爾14納米芯片產(chǎn)能不足、供貨吃緊，日前傳出英特爾求助競爭對手臺積電的消息，但英特爾昨(12)日已發(fā)表聲明稿駁斥這個傳言。
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英特爾正在放棄Xeon Phi 宣布八種型號停產(chǎn)
英特爾原來的計劃是在10納米工藝上發(fā)布名為“Knights Hill”的新一代Xeon Phi。然而，隨著市場對Xeon Phi需求不高，以及不斷延期的10納米工藝，這迫使該公司放棄了這個項目?，F(xiàn)在，該公司宣布他們正在停止
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英特爾發(fā)布首批10納米制程，第8代Core i移動版U 系列處理器
處理器大廠英特爾 (Intel) 在 21 日正式率先發(fā)布，“第 8 代 Core i” 系列移動版 U 系列處理器。其中包含兩款 i7 系列處理器 i7-8650U、i7-8550U，以及兩款 i5 系列處理器的 i5-8350U、i5-8250U。英特爾表示，這一代的處理器核心數(shù)提升至 4C 8T，并有著更高的核心時脈，加上部分產(chǎn)品為英特爾首批由 10 納米制程所生產(chǎn)的處理器，整體性能將比起上一代有 40% 的大幅度提升。
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臺積電業(yè)務(wù)下滑創(chuàng)新低，未來的路如何走
晶圓代工龍頭臺積電昨(13)日舉行法說會，公布第2季財報，毛利率50.8%，落在先前預(yù)期低標(biāo);營益率38.9%，略低于低標(biāo)的39%;稅后純益662.7億元，季減24.4%，較去年同期下滑8.6%，每股稅純益為2.56元，創(chuàng)5季以來最低點。
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高通旗艦芯片835亞洲發(fā)布 支持移動VR、4K視頻
3月22日下午，美國高通公司全新旗艦芯片Qualcomm驍龍835處理器在亞洲首秀。這顆采用三星10納米制程工藝的芯片，將使搭載該芯片的智能設(shè)備擁有更低的功耗與更高的性能。據(jù)了解，驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計搭載驍龍83
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臺積電加速10納米制成產(chǎn)量，加速納米晶圓產(chǎn)能成長。
臺積電于美國舉辦年度技術(shù)論壇時表示，預(yù)估今年10納米制程產(chǎn)量將達40萬片12寸晶圓，2019年之后，10納米及7納米的晶圓產(chǎn)量合計將達到120萬片，其中，10納米晶圓今年產(chǎn)能即可望超過16納米。
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英特爾 IDF 深度剖析:“14nm+”；10nm迭代三波
英特爾的10納米要等到2017年年底，而競爭對手則在今年年底和明年年初。也就是說，英特爾的新工藝比競爭對手晚了超過至少半年左右的時間。
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10nm爭奪戰(zhàn)，三霸展示實力的時候到了！
英特爾、三星、臺積電半導(dǎo)體三雄在先進制程領(lǐng)域持續(xù)比拼實力，繼14/16納米競賽之后，又把重點放在了計劃中明年量產(chǎn)的10納米之上。
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Intel 加速了！針對晶圓代工客戶開發(fā)10nm平臺
以最先進的ARM處理器與Cortex系列處理器為基礎(chǔ)，將英特爾的10納米制程技術(shù)最佳化，這表示晶圓代工客戶能運用這類IP達到先進的功率/效能/空間(PPA)，使其研發(fā)的移動、物聯(lián)網(wǎng)、以及其他消費性產(chǎn)品兼具省電與高效能的特性。
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10納米好景不長，Nvidia直接晉升7納米
有鑒于16納米技術(shù)可能過時，而10納米又為期不長，Nvidia選擇直接晉升7納米并不無道理。再者，臺積電7納米制程將在2018年上半年導(dǎo)入量產(chǎn)，除非Nivida急于在此前推出Volta世代芯片，否則采用7納米對于芯片效能與競爭力可能較為有利。
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10納米被推遲了：2015英特爾最糟糕表現(xiàn)還有哪些？
2014 年是英特爾非常成功的一年，增速快于預(yù)期，但是到了 2015 年，一切表現(xiàn)卻變得不再那么樂觀。不僅營收下降了 1%，而且股價還下跌了高于 2% 的數(shù)字。究竟這一年英特爾業(yè)務(wù)報告表現(xiàn)并不理想的原因是什么呢?很顯然，答案只有英格爾最清楚，但這并不妨礙我們對去年英特爾相對糟糕表現(xiàn)的盤點。
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三星10nm工藝保障其半導(dǎo)體地位
三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)2016年將正式進入10納米(nm)時代。借著量產(chǎn)18納米DRAM與10納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴大技術(shù)差距的策略守住半導(dǎo)體領(lǐng)先優(yōu)勢。 據(jù)首爾經(jīng)濟報導(dǎo)，三星半導(dǎo)體事業(yè)
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臺積電公布16納米與10納米制程計劃
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)近日宣布將推出精簡型、低功耗版本的16奈米FinFET制程，并公布其更先進奈米制程技術(shù)藍圖;臺積電預(yù)定自今年中開始量產(chǎn)最新的16奈米FinFET Plus (16FF+)制程，并在2016年展開 10奈米制程生產(chǎn)
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臺積電擬于明年年末上馬10納米工藝對抗三星
據(jù)國外媒體報道，臺積電準備推出新的制造工藝，以應(yīng)對來自其他定制半導(dǎo)體元件廠商的競爭。公司聯(lián)席CEO劉德音周二在美國加州圣何塞的一次活動上表示，臺積電最早會在明年年末上馬10納米制造技術(shù)。劉在活動中向客戶介
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