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Dialog與臺積電攜手開發(fā)Bipolar–CMOS -DMOS技術(shù)
專精于高度整合電源管理解決方案的德商Dialog半導(dǎo)體公司與臺積電近日共同宣布：攜手開發(fā)下一世代的BCD（Bipolar–CMOS -DMOS，雙極–互補金屬氧化半導(dǎo)體–雙重擴散金屬氧化半導(dǎo)體）技術(shù)，提供行動產(chǎn)
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京都大學(xué)：“250℃高溫下工作，電流放大率依然高達127”
圖1：使用SiC的Si面時，BJT的電流放大率（點擊放大） 圖2：使用SiC的C面時，BJT的電流放大率（點擊放大） 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT（bip
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英飛凌增強IGBT產(chǎn)能，將向馬來西亞生產(chǎn)線投資1.6億美元
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來西亞的馬六甲工廠投資1億6000萬美元。用于更新和增設(shè)工廠的研發(fā)設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
