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Dialog與臺(tái)積電攜手開(kāi)發(fā)Bipolar–CMOS -DMOS技術(shù)
專(zhuān)精于高度整合電源管理解決方案的德商Dialog半導(dǎo)體公司與臺(tái)積電近日共同宣布：攜手開(kāi)發(fā)下一世代的BCD（Bipolar–CMOS -DMOS，雙極–互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體–雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體）技術(shù)，提供行動(dòng)產(chǎn)
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京都大學(xué)：“250℃高溫下工作，電流放大率依然高達(dá)127”
圖1：使用SiC的Si面時(shí)，BJT的電流放大率（點(diǎn)擊放大） 圖2：使用SiC的C面時(shí)，BJT的電流放大率（點(diǎn)擊放大） 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT（bip
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英飛凌增強(qiáng)IGBT產(chǎn)能，將向馬來(lái)西亞生產(chǎn)線(xiàn)投資1.6億美元
德國(guó)英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來(lái)西亞的馬六甲工廠(chǎng)投資1億6000萬(wàn)美元。用于更新和增設(shè)工廠(chǎng)的研發(fā)設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
小軒窗
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