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ARM服務(wù)器炸彈：A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務(wù)器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號(hào)稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。 該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和C
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ARM服務(wù)器炸彈！A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務(wù)器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號(hào)稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和Corte
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DDR4內(nèi)存可以快速發(fā)展嗎？
我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少
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Synopsys DesignWare DDR4存儲(chǔ)器接口IP實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充
新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對(duì)基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過在一個(gè)單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DD
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Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲(chǔ)器接口IP
21ic訊 新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對(duì)基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過在一個(gè)單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWa
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Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內(nèi)存控制器試驗(yàn)成功
Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DDR4內(nèi)存物理層及內(nèi)存控制器電路已經(jīng)在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗(yàn)成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內(nèi)存控制器。 Cadence公司產(chǎn)品部門、S
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲(chǔ)控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。為了擴(kuò)大在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
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英特爾對(duì)于DDR4在DRAM市場(chǎng)中的騰飛非常關(guān)鍵
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預(yù)計(jì)只占總體DRAM領(lǐng)域
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英特爾對(duì)于DDR4在DRAM市場(chǎng)中的騰飛將非常關(guān)鍵
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預(yù)計(jì)只占總體DRAM領(lǐng)域
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三星推首款30納米級(jí)服務(wù)器模塊
半導(dǎo)體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級(jí)4GB DDR4服務(wù)器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級(jí)2GB DDR4模塊后，又在今年6月針對(duì)CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM
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三星：業(yè)界首個(gè)單條16GB DDR4內(nèi)存已經(jīng)搞定
三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內(nèi)首個(gè)成功試產(chǎn)16GB DDR4內(nèi)存模組的廠商。此次亮相的這一產(chǎn)品為RDIMM形式，面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)。 目前三星采用的生產(chǎn)制程工藝為30nm級(jí)別，6月試產(chǎn)的樣品包括單條8GB
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GDDR6顯存啟動(dòng) 2014年到來
GDDR5顯存已經(jīng)成為中高端獨(dú)立顯卡的標(biāo)配，頻率也在不斷拔高，現(xiàn)在動(dòng)不動(dòng)就上6GHz。很自然地你也應(yīng)該能想到，下一代GDDR6悄然已經(jīng)啟動(dòng)了。GDDR6的標(biāo)準(zhǔn)制定工作由JEDEC負(fù)責(zé)，而其中占據(jù)主導(dǎo)地位的還是AMD。事實(shí)上，GDD
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Haswell-EP細(xì)節(jié)：四通道DDR4、14核心？
經(jīng)常爆料Intel未來產(chǎn)品技術(shù)細(xì)節(jié)的國內(nèi)網(wǎng)友“Bigpao007”近日又抖摟出了Intel Haswell-EP Xeon處理器的不少資料，這也是該平臺(tái)第一次流露出如此多的詳細(xì)內(nèi)幕。之前我們就已經(jīng)知道，Intel準(zhǔn)備在Haswell-EP、
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DDR4今年年底抵達(dá)PC
DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報(bào)道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的
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美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成
美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成
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DDR3沒錢賺了：三星敦促Intel盡快支持DDR4
業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子正努力勸說Intel盡快推出支持DDR4內(nèi)存的新平臺(tái)，因?yàn)槟壳斑^低的價(jià)格導(dǎo)致DDR3已經(jīng)基本無利可圖。根據(jù)此前消息，Intel要到至少2014年才會(huì)在企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX上首次支持DDR4，而在桌面上
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Intel計(jì)劃2014年開始支持DDR4
DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存
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英特爾Haswell-EX CPU將支持DDR4
4月6日，據(jù)國外媒體報(bào)道，似乎消費(fèi)者對(duì)于英特爾公司目前的成就并不滿意，他們所關(guān)心的是該公司對(duì)于未來的規(guī)劃，例如從現(xiàn)在起兩年內(nèi)的產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)了解內(nèi)情的人士透露，英特爾公司目前所研發(fā)的一種產(chǎn)品將會(huì)讓喜歡高存
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英特爾計(jì)劃2014年開始支持DDR4
DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存
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