DDR4

英特爾計(jì)劃2014年開(kāi)始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存

DDR4早著呢：Intel 2014年才會(huì)支持

DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因?yàn)镈DR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是&ldq

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

性能絕對(duì)過(guò)剩？DDR4內(nèi)存發(fā)展技術(shù)解析

DDR4：末路黃花or發(fā)展契機(jī)？我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

三星DDR4內(nèi)存芯片速度提升一倍 2012年投產(chǎn)

三星電子星期二稱，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。 時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

Altera推出 DDR400 SDRAM DIMM接口